[发明专利]半导体热处理设备

权利要求书

1.一种半导体热处理设备，其特征在于，包括：

管体（100）；

位于所述管体（100）内的晶圆承载装置（200）和注气管（310）；

所述注气管（310）位于所述管体（100）的进气端且位于所述晶圆承载装置（200）的下方，在沿所述管体（100 ）的轴线的正投影方向上，所述注气管（310）的投影位于所述管体（100）的投影之内，且位于所述晶圆承载装置（200）的投影之外；

进气管（320），所述进气管（320）的一端与供气源相连通，所述进气管的另一端与所述注气管（310）相连通；

所述注气管（310）间隔开设有两个注气孔组，两个所述注气孔组之间具有间隔管段，所述进气管（320）与所述间隔管段相连通，所述间隔管段压缩了所述注气管（310）上开设的所述注气孔组的区域，使得所述注气孔组内的多个注气孔开设的位置相对集中；

每个所述注气孔组均包括有多个注气孔（314），所述注气孔（314）在所述注气管（310）上间隔分布，且所述注气孔（314）的轴向与气体在所述注气管（310）内的流动方向所成角度逐渐增大或逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述注气管（310）为半环形结构，所述半环形结构包括依次相连通的第一弧形段（311）、第二弧形段（312）和第三弧形段（313），所述间隔管段为所述第二弧形段（312），其中一个所述注气孔组开设于所述第一弧形段（311），另一个所述注气孔组开设于所述第三弧形段（313）；所述进气管（320）与所述第二弧形段（312）相连通。

3.根据权利要求2所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述半环形结构的弧度大于等于240°，小于等于300°。

4.根据权利要求3所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述第一弧形段（311）和所述第三弧形段（313）的弧度均为大于等于60°，小于等于120度，所述第二弧形段（312）的弧度为大于等于60°，小于等于120度。

5.根据权利要求2所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述进气管（320）与所述第二弧形段（312）的连接处靠近所述第二弧形段（312）的中心位置。

6.根据权利要求2所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述第二弧形段（312）包括依次相连的第一管段（3121）、缓冲管（3122）和第二管段（3123），所述第一弧形段（311）和所述缓冲管（3122）通过所述第一管段（3121）相连通，所述第三弧形段（313）和所述缓冲管 通过所述第二管段（3123）相连通，所述缓冲管（3122）与所述进气管（320）相连通，所述第一管段（3121）的横截面面积和所述第二管段（3123）的横截面 面积均小于所述缓冲管（3122）的横截面 面积。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述注气孔组边缘位置的所述注气孔（314）的轴线与所述气体在所述注气管（310）内的流动方向所成夹角大于等于15°，小于等于45°。

8.根据权利要求7所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述注气孔组内的中心位置至少有一个所述注气孔（314）的轴线与所述气体在所述注气管（310）内的流动方向相垂直。

9.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述半导体热处理设备还包括固定支架（400），所述固定支架（400）包括环形固定部（410）和支撑部（420），所述环形固定部（410）环绕所述管体（100）设置，所述支撑部（420）的一端与所述环形固定部（410）相连接，所述支撑部（420）的另一端伸入所述管体（100）内，用于支撑所述注气管（310）。

10.根据权利要求1所述的半导体热处理设备，其特征在于，所述管体（100）包括内管（120）和外管（110），所述外管（110）套设于所述内管（120）之外，所述晶圆承载装置（200）和所述注气管均位于所述内管（120）中，所述内管（120）与所述外管（110）之间形成通气通道（130），所述通气通道（130）与所述内管（120）相连通，所述外管（110）的侧壁开设有排气孔（111），所述排气孔（111）与所述通气通道（130）相连通。