[发明专利]半导体热处理设备

说明书

本发明公开一种半导体热处理设备，该半导体热处理设备包括管体、位于管体内的晶圆承载装置和注气管以及进气管，注气管位于管体的进气端且位于晶圆承载装置的下方，在沿管体的轴线的正投影方向上，注气管的投影位于管体的投影之内，且位于晶圆承载装置的投影之外；进气管的一端与供气源相连通，进气管的另一端与注气管相连通；注气管间隔开设有两个注气孔组，两个注气孔组之间具有间隔管段，进气管与间隔管段相连通；每个注气孔组均包括有多个注气孔，注气孔在注气管上间隔分布，且注气孔的轴向与气体在注气管内的流动方向所成角度逐渐增大或逐渐减小。上述方案能够解决半导体热处理设备内的气流分布不均匀的问题。

技术领域

本发明涉及半导体芯片制造技术领域，尤其涉及一种半导体热处理设备。

背景技术

半导体加工技术领域中，需要在晶圆的表面沉积一层薄膜，从而提升晶圆的性能。

相关技术中，如图1所示半导体热处理设备的注气组件包括进气管11和注气环管12，进气管11与注气环管12相连通。注气环管12环绕晶舟设置，注气环管12上开设有出气孔，进气管内的气体，通过出气孔进入半导体热处理设备内。

然而，靠近进气管一侧的出气孔处的气流较为充足，而远离进气管一侧的出气孔处的气流较为稀薄，气流的分布如图2所示。因此导致半导体热处理设备内的气流分布不均匀，造成晶圆的表面沉积的薄膜的均匀性较差。

发明内容

本发明公开一种半导体热处理设备，以解决半导体热处理设备内的气流分布不均匀的问题。

为了解决上述问题，本发明采用下述技术方案：

一种半导体热处理设备，包括：

管体；

位于所述管体内的晶圆承载装置和注气管；

所述注气管位于所述管体的进气端且位于所述晶圆承载装置的下方，在沿所述管体的轴线的正投影方向上，所述注气管的投影位于所述管体的投影之内，且位于所述晶圆承载装置的投影之外；

进气管，所述进气管的一端与供气源相连通，所述进气管的另一端与所述注气管相连通；

所述注气管间隔开设有两个注气孔组，两个所述注气孔组之间具有间隔管段，所述进气管与所述间隔管段相连通；

每个所述注气孔组均包括有多个注气孔，所述注气孔在所述注气管上间隔分布，且所述注气孔的轴向与气体在所述注气管内的流动方向所成角度逐渐增大或逐渐减小。

本发明采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本发明公开的半导体热处理设备中，注气管开设有间隔设置的两个注气孔组，两个注气孔组之间的间隔管段压缩了注气管上开设的注气孔组的区域，使得注气孔组内的多个注气孔开设的位置相对集中，因此多个注气孔处的气流相对均匀。同时每个注气孔组中的多个注气孔的轴向与气体在注气管内的流动方向所成角度逐渐增大或减小，从而使得多个注气孔通入的气体能够迅速散开覆盖整个管体，从而使得管体内的气流分布更加均匀。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中半导体热处理设备的结构示意图；

图2为现有技术中半导体热处理设备内气流的分布示意图；

图3～6为本发明实施例公开的半导体热处理设备的结构示意图；

图7为本发明实施例公开的半导体热处理设备的俯视图；

图8为本发明实施例公开的半导体热处理设备中的结构示注气管的结构示意图；