[发明专利]SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法、计算机设备及存储介质有效
| 申请号： | 202110366120.3 | 申请日： | 2021-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN113358991B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈媛;来萍;张鹏;贺致远;陈义强;刘昌;徐新兵 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及高温栅偏试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法、计算机设备及存储介质，在对所述SiC MOSFET器件进行高温栅偏试验的不同试验节点中对SiC MOSFET器件进行电学参数测试时，若没有及时完成对SiC MOSFET器件的测量，可以对SiC MOSFET器件的应力中断时间进行评估，根据预先获取SiC MOSFET器件的阈值电压漂移变化率与应力中断时间和中断后额外施加应力时间的函数关系，以及应力中断时间获取SiCMOSFET器件的额外施加应力时间。对SiC MOSFET器件施加额外施加应力时间的偏置应力，以使SiC MOSFET器件上的阈值电压恢复至预设阈值后，再及时对SiC MOSFET器件进行测量，以保证此时测量得到的阈值电压可以表现SiCMOSFET器件的真实漂移情况。 | ||
| 搜索关键词： | sic mosfet 器件 高温 试验 方法 计算机 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）），未经中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110366120.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
