[发明专利]SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法、计算机设备及存储介质

权利要求书

1.一种SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法，其特征在于，包括：

获取SiC MOSFET器件的阈值电压漂移变化率与应力中断时间和中断后额外施加应力时间的函数关系，包括：

对所述SiC MOSFET器件进行高温栅偏试验；

在所述高温栅偏试验应力结束时间点去除加载在所述SiC MOSFET器件上的偏置应力；

获取所述SiC MOSFET器件在应力中断瞬间的阈值电压变化；

在经过不同的应力中断时间后，额外对所述SiC MOSFET器件施加偏置应力，分别获取再施加不同时长的额外应力后所述SiC MOSFET器件的阈值电压变化；

根据所述SiC MOSFET器件的应力中断瞬间的阈值电压变化和在不同的应力中断时间后再施加不同时长的额外应力时的阈值电压变化，获取所述SiC MOSFET器件的阈值电压漂移变化率与应力中断时间和中断后额外施加应力时间的函数关系；

在所述高温栅偏试验不同的试验节点下对所述SiC MOSFET器件进行电学参数测试，判断测量得到的阈值电压是否有效；

若测量得到的阈值电压无效，则评估所述SiC MOSFET器件的应力中断时间，并根据所述应力中断时间和所述函数关系获取所述SiC MOSFET器件的阈值电压恢复至预设阈值所需的额外施加应力时间；

对所述SiC MOSFET器件施加额外应力时间的偏置应力，获取所述SiC MOSFET器件此时的阈值电压；

将所述SiC MOSFET器件此时的阈值电压与标准阈值电压进行比较，根据比较结果评估所述SiC MOSFET器件的可靠性。

2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法，其特征在于，所述对所述SiC MOSFET器件进行高温栅偏试验包括：

将所述SiC MOSFET器件置于预设温度环境下；

向所述SiC MOSFET器件施加预设电压的情况下持续预设时间。

3.根据权利要求2所述的SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法，其特征在于，所述预设温度包括125℃。

4.根据权利要求1所述的SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法，其特征在于，所述不同的试验节点包括试验开始节点、中间过程节点和试验结束节点。

5.根据权利要求1所述的SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法，其特征在于，所述预设阈值包括所述SiC MOSFET器件上偏置应力结束瞬间的阈值电压的60%~80%。

6.根据权利要求1所述的SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法，其特征在于，所述判断测量得到的阈值电压是否有效包括：

判断测量完成时间是否小于预设时间；

若所述测量完成时间大于等于所述预设时间，则判断测量得到的阈值电压无效。

7.根据权利要求6所述的SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法，其特征在于，所述判断测量得到的阈值电压是否有效还包括：

若所述测量完成时间小于所述预设时间，则判断测量得到的阈值电压有效。

8.根据权利要求2、6或7所述的SiC MOSFET器件的高温栅偏试验方法，其特征在于，所述预设时间包括10µs。

9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至8中任意一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至8中任意一项所述的方法的步骤。