[发明专利]一种耗尽型场效应晶体管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110363613.1 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113140463A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋骞苑;赵德益;吕海凤;郝壮壮;胡亚莉;张彩霞;高小丽;严林;彭阳 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 党蕾 |
| 地址： | 201323 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种耗尽型场效应晶体管器件的制备方法，属于半导体保护器件领域，包括：步骤S1，在衬底上形成第一外延层；步骤S2，生长氧化层，并于第一外延层中形成至少两个柱区；步骤S3，形成第二外延层；步骤S4，形成至少两个阱区；步骤S5，形成深槽；于深槽内及深槽的上表面形成栅氧化层，于深槽和阱区之间形成沟道，于栅氧化层的上表面形成多晶硅层；步骤S6，形成依次相连接的第一N型注入区、第一P型注入区和第二N型注入区；步骤S7，形成一介质层，并形成对应的接触孔；步骤S8，淀积源极金属、栅极金属；步骤S9，进行研磨减薄处理，并形成漏极金属。本技术方案的有益效果在于：导通电阻低、关断时耐压高、漏电流小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耗尽 场效应 晶体管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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