[发明专利]一种新型的高压VDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110336336.5 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN112820778A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈利 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/04 |
| 代理公司： | 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 | 代理人： | 马小玲 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型的高压VDMOS器件及其制备方法，其包括：N型重掺杂衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，N型重掺杂源极区，P型重掺杂源极区，NISI源极区，高K绝缘层，栅极多晶硅区，NISI漏极区，栅极电极，源极电极和漏极电极；NISI漏极区设在N型重掺杂衬底下表面，NISI漏极区下表面形成漏极电极，N型重掺杂衬底上设有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上设有两个P型阱区，P型阱区上设有N型重掺杂源极区和P型重掺杂源极区，N型重掺杂源极区和P型重掺杂源极区上表面设有NISI源极区，P型阱区和N型轻掺杂缓冲区上设有高K绝缘层，高K绝缘层上设有栅极多晶硅区，栅极多晶硅区上设有栅极电极，N型重掺杂源极区和P型重掺杂源区上设有源极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 高压 vdmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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