[发明专利]掩膜结构的制备方法、半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110336089.9 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113078105B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 于业笑;刘忠明;方嘉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 姚姝娅 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掩膜结构的制备方法、半导体结构及其制备方法，包括：掩膜结构的制备方法，包括：形成由下至上依次叠置的第一掩膜层、第一缓冲层、第二掩膜层及第二缓冲层；图形化第二缓冲层及第二掩膜层，以得到第一图形结构，所述第一图形结构暴露出部分第一缓冲层；于第一图形结构的侧壁形成第一掩膜图形；于裸露的第一缓冲层的上表面形成碳等离子体层作为保护层；去除第一图形结构；去除残留的保护层。使得刻蚀去除第一图形结构时，不会刻蚀到裸露的第一缓冲层，避免了第一缓冲层厚度不均对第一掩膜图形向第一缓冲层转移后图形形貌的影响，使得第一掩膜图形的图形形貌完整的转移到下一层。 | ||
| 搜索关键词： | 膜结构 制备 方法 半导体 结构 及其 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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