[发明专利]一种基于SOI材料的超低电容TVS器件及制造方法在审
| 申请号： | 202110324193.6 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN112968063A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 陆亚斌;吴昊;王成 | 申请（专利权）人： | 傲威半导体无锡有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种基于SOI材料的超低电容TVS器件及制造方法，该TVS器件包括：衬底层，该衬底层采用SOI硅片制作；N阱/P阱/N+/P+区域，该N阱/P阱/N+/P+区域形成于衬底层上，由N阱/P阱/N+/P+区域构成TVS管；N+/P+区域，该N+/P+区域形成于衬底层上，由N+/P+区域构成开关管；表面浅槽，该表面浅槽形成于N+/P+区域，并环绕于N+与P+之间，其结深浅于N+/P+区域的结深；浅槽填充层，该浅槽填充层采用氧化层形成于表面浅槽内；表面深槽，该表面深槽形成于衬底层上，并将N阱/P阱/N+/P+区域与N+/P+区域隔离；深槽填充层，该深槽填充层采用氧化层形成于表面深槽内；电极，该电极形成于晶圆表面，并通过多层金属化引出，减小了寄生电容，提高了运行速度，具有更低的功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 材料 电容 tvs 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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