[发明专利]3D芯片的存储器修复方法及相关设备有效
| 申请号： | 202110303967.7 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN112927744B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 刘承林;宋炜哲 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 吴莹 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请实施例通过提供一种3D芯片的存储器修复方法及相关设备，用于解决目前3D芯片的存储器修复率较低的问题。其中，上述方法包括：根据芯片信息，对目标芯片中每个单芯片的按照存储器类型进行分类，得到第一类型芯片及第二类型芯片，其中，所述目标芯片为至少两个所述单芯片经过堆叠设置得到的3D芯片，所述芯片信息中包含每个所述单芯片中的修复资源信息及失效单元信息，所述第一类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源不足，所述第二类型芯片用于表征所述单芯片的存储器中修复资源富余；通过所述第二类型芯片的剩余修复资源对所述第一类型芯片进行修复。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 存储器 修复 方法 相关 设备 | ||
【主权项】：
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