[发明专利]存储器的制作方法及存储器有效
| 申请号： | 202110297346.2 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN112928070B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;夏军;占康澍;李森;宛强;徐朋辉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储器的制作方法及存储器，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器的良率较低的技术问题。该存储器的制作方法包括：提供基底，基底中形成有电容接触垫；在基底上形成叠层结构；叠层结构包括形成在基底上的第一叠层结构和形成在第一叠层结构上的第二叠层结构；在第二叠层结构内形成第一通孔；在第一通孔的侧壁形成保护层，位于第一通孔内的保护层围设形成第二通孔；沿第二通孔刻蚀所述第一叠层结构，形成第三通孔，且所述第三通孔暴露出所述电容接触垫。通过保护层保护第一通孔的侧壁，减少或者避免后续刻蚀气体或者刻蚀液体损伤第一通孔的侧壁，以减少或者避免第一通孔的侧壁弯曲甚至第一通孔刻穿，提高存储器的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 制作方法 | ||
【主权项】：
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