[发明专利]异质结双极型晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 202110294738.3 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113066723B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 黄治浩;蔡文必;郭佳衢;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;H01L29/737;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 裴素英 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种异质结双极型晶体管的制作方法，该制作方法可以在不更改既有的HBT制程的基础上，在制作绝缘区域上方的第二金属氮化物层的同时，制作位于非绝缘区域上的第一金属氮化物层，且制作形成的第三金属层与第一金属氮化物层材料不同。该制作方法可以在不需要增设光罩和光刻工序的基础上得到具有两个不同开启电压的肖特基二极管的HBT，可达到减少工序、提高效率、降低成本的效果。此外，本申请还提供一种异质结双极型晶体管，该HBT可具有两个肖特基二极管，可以选择不同的开启电压，以适配不同的电路需求，增加了HBT的适配性。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结双极型 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
