[发明专利]钴氧化物基磁性氧化物薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110289382.4 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113061990A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金奎娟;郭尔佳;金桥;林珊;陈爽;陈盛如;祁明群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/68 | 分类号： | C30B29/68;C30B29/22;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅;赵岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种钴氧化物基磁性氧化物薄膜及其制备方法和应用，该磁性氧化物薄膜由第一材料层和第二材料层交替生长而成的超晶格结构组成，其中，所述第一材料层为LaCoO |
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| 搜索关键词： | 氧化物 磁性 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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