[发明专利]光刻曝光方法、装置和存储介质在审
| 申请号： | 202110262837.3 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN113093478A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李玉华;黄发彬;吴长明;姚振海;金乐群 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种光刻曝光方法、装置和存储介质，该方法包括：一种光刻曝光方法，其特征在于，包括：获取投影掩模板的透射率和温度分布；根据透射率和温度分布对投影掩模板进行加热使投影掩模板的温度分布的均匀性达到目标值；预测投影掩模板的形变；根据形变对光刻曝光的套刻误差进行补偿，得到补偿后的曝光参数；根据补偿后的曝光参数，对晶圆的第i曝光区域进行曝光，1≤i≤N，N≥2，i、N为自然数，N为晶圆上的曝光区域的个数；令i＝i+1，重复上述步骤，直至i＝N。本申请通过获取投影掩模板的透射率和温度分布对其进行加热，使投影掩模板的温度分布较为均匀，从而在一定程度上降低了投影掩模板的形变，降低了套刻误差。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 曝光 方法 装置 存储 介质 | ||
【主权项】：
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