[发明专利]一种晶圆级二维材料的转移方法及器件制备方法有效
| 申请号： | 202110254999.2 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113035781B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 张亚东;刘战峰;吴振华;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/683;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 马东伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆级二维材料的转移方法及器件制备方法，该方法包括：提供牺牲层衬底和目标衬底，在牺牲层衬底上形成第一氧化层，在目标衬底上形成第二氧化层；在第一氧化层上依次形成二维材料层以及第三氧化层，并对第三氧化层以及二维材料层进行刻蚀，露出部分第一氧化层，形成多个岛状结构；形成包裹岛状结构的保护结构，各个岛状结构分别对应一个保护结构；在保护结构以及露出的部分第一氧化层上形成第四氧化层；将第四氧化层与第二氧化层进行键合，并暴露岛状结构中的二维材料，以实现二维材料的晶圆级转移。实现晶圆级二维材料的高质量转移，最大程度上保证二维材料原有的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 二维 材料 转移 方法 器件 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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