[发明专利]三维半导体存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110080779.2 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113224075A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李东植;李炳镇;黄盛珉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11578;H01L27/11582;H01L27/11517;H01L27/11521;H01L27/11556 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了一种三维半导体存储器装置及其制造方法。该三维半导体存储器装置包括具有单元和连接区的衬底。电极结构设置在衬底上，电极结构在连接区上具有台阶结构。第一竖直沟道结构和第一伪结构分别至少部分地穿透单元区和连接区上的电极结构。第一竖直沟道结构和第一伪结构的扩展部分的底部分别位于第一水平高度处和第二水平高度处。第二水平高度高于第一水平高度。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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