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[发明专利]灭弧室及包括其的负载开闭器-CN202280015495.8在审
发明人： 李东植 -专利权人： LS电气株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01H33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够紧贴设置于曲线形框架部的灭弧室及包括其的负载开闭器，所述灭弧室包括：两个盖部，与框架部的外周相邻配置，彼此隔开，在所述框架部的轴向上重叠；以及电弧格栅，配置在面向的两个所述盖部之间，分别与两个所述盖部结合；所述盖部的与所述框架部的外周接触的一侧形成为与所述框架部的外周对应的形状。
灭弧室包括负载开闭

[发明专利]三维半导体存储器件及其制造方法-CN201810762087.4有效
发明人：黄盛珉;李东植;任峻成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：衬底，包括外围电路区域和单元阵列区域；多个外围栅极叠层，设置在所述外围电路区域中；以及电极结构，设置在所述单元阵列区域中。电极结构包括下电极、设置在所述下电极上的下绝缘层、以及交替堆叠在所述下绝缘层上的上电极和上绝缘层。所述下绝缘层从所述单元阵列区域延伸到所述外围电路区域中并覆盖所述外围栅极叠层。所述下绝缘层包括顺序堆叠在彼此上的第一下绝缘层和第二下绝缘层。所述第一下绝缘层包括第一绝缘材料，并且所述第二下绝缘层包括与所述第一绝缘材料不同的第二绝缘材料。
三维半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN201910454994.7有效
发明人：崔康润;李吉成;李东植;任庸植;赵恩锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：提供了一种三维半导体存储器装置，该三维半导体存储器装置包括：基底；第一堆叠结构和第二堆叠结构，在基底上彼此相邻；第一共源极塞，位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间；第二共源极塞，位于第一堆叠结构与第二堆叠结构之间；以及竖直介电结构，位于第一共源极塞与第二共源极塞之间。第一堆叠结构和第二堆叠结构中的每个可以包括交替地堆叠在基底上的多个绝缘层和多个电极。第一共源极塞可以连接到基底。第二共源极塞可以与基底分隔开。
三维半导体存储器装置

[发明专利]三维（3D）半导体存储器装置和包括其的电子系统-CN202210347357.1在审
发明人：黃盛珉;沈载株;李东植;朴凤泰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：提供了三维(3D)半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述3D半导体存储器装置包括：基底；堆叠结构，包括交替地且重复地堆叠在基底上的层间介电层和栅电极；垂直沟道结构，穿透堆叠结构；分隔结构，与垂直沟道结构间隔开并且填充与堆叠结构交叉的沟槽，分隔结构包括间隔件和第一导电接触件，间隔件覆盖沟槽的内侧壁，第一导电接触件填充沟槽的被间隔件围绕的内空间；绝缘层，覆盖基底和堆叠结构；接触插塞，穿透绝缘层以连接到堆叠结构的栅电极；以及第二导电接触件，与堆叠结构间隔开并且穿透绝缘层以连接到外围电路晶体管。第一导电接触件的底表面位于比间隔件的底表面低的水平处。
三维半导体存储器装置包括电子系统

[发明专利]半导体装置及包括该半导体装置的电子系统-CN202210411474.X在审
发明人：金志荣;李东植;任峻成;康范圭;成皓准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置和一种电子系统。半导体装置包括：衬底；第一堆叠结构，其位于衬底上并且包括多个第一栅电极；第二堆叠结构，其位于第一堆叠结构上并且包括多个第二栅电极；沟道孔，其包括延伸穿过第一堆叠结构的下部的第一下沟道孔、连接到第一下沟道孔的第一上沟道孔、以及连接到第一上沟道孔的第二沟道孔；以及沟道孔中的沟道结构。第一下沟道孔的侧壁具有相对于第一方向的第一倾斜度，第一上沟道孔的侧壁具有相对于第一方向的第二倾斜度，第二沟道孔的侧壁具有相对于第一方向的第三倾斜度。
半导体装置包括电子系统

[发明专利]半导体装置-CN201610883987.5有效
发明人：李雄燮;崔钟允;辛镇铉;李东植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：堆叠件，包括交替且重复地堆叠在基底上的绝缘层和栅电极；下半导体图案，从基底沿竖直方向突出到堆叠件中；下半导体图案的上部，具有在远离基底的方向上逐渐减小的宽度；沟道结构，竖直地贯穿堆叠件并连接到下半导体图案；以及绝缘填隙图案，在沟道结构内部，其中，绝缘填隙图案的底表面低于下半导体图案的上部的底。
半导体装置

[发明专利]三维半导体存储装置和竖直集成电路装置-CN201610878460.3有效
发明人： 李东植;金英宇;辛镇铉;李正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-08 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体存储装置和一种竖直集成电路装置，所述竖直集成电路装置可包括基底，基底具有第一区域和第二区域，第一区域被预留用于竖直集成电路装置的第一功能电路，其中，第一功能电路具有横跨第一区域的基本恒定的顶表面水平，第二区域被预留用于竖直集成电路装置的第二功能电路并且与第一区域隔开。第二功能电路可具有横跨第二区域的变化的顶表面水平。掺杂的氧化抑制材料可被包括在基底中并且可分别在基底与第一功能电路和第二功能电路的界面处从第一区域延伸到第二区域。
三维半导体存储装置竖直集成电路

[发明专利]三维半导体存储器装置及其制造方法-CN202110080779.2在审
发明人： 李东植;李炳镇;黄盛珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：公开了一种三维半导体存储器装置及其制造方法。该三维半导体存储器装置包括具有单元和连接区的衬底。电极结构设置在衬底上，电极结构在连接区上具有台阶结构。第一竖直沟道结构和第一伪结构分别至少部分地穿透单元区和连接区上的电极结构。第一竖直沟道结构和第一伪结构的扩展部分的底部分别位于第一水平高度处和第二水平高度处。第二水平高度高于第一水平高度。
三维半导体存储器装置及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器装置-CN202110054620.3在审
发明人：梁宇成;李炳镇;康范圭;李东植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器装置包括：第一外围电路，其包括不同的解码器电路；第一外围电路上的第一存储器；以及第一存储器上的第二存储器，第一存储器包括：第一堆叠结构，其具有堆叠在彼此上的第一电极层和它们之间的第一电极间介电层；第一平面化介电层，其覆盖第一堆叠结构的端部；以及穿通件，其穿透第一堆叠结构的端部，穿通件电连接至所述解码器电路中的一个，第二存储器包括：第二堆叠结构，其具有堆叠在彼此上的第二电极层以及它们之间的第二电极间介电层；第二平面化介电层，其覆盖第二堆叠结构的端部；以及单元接触插塞，其将第二电极层中的一个电连接至穿通件。
三维半导体存储器装置

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010465074.8在审
发明人：梁宇成;李东植;黄盛珉;任峻成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件可以包括：水平图案，设置在外围电路结构上并且彼此间隔开；存储器结构，分别设置在水平图案上，每个存储器结构包括存储单元的三维布置。穿透绝缘图案和分离结构可以使水平图案彼此隔离。贯通过孔可以延伸穿过穿透绝缘图案，以将外围电路结构的逻辑电路连接到存储器结构。
三维半导体存储器件

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010206330.1在审
发明人：李炳镇;李东植;任峻成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：提供一种半导体器件。该半导体器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括在衬底上彼此间隔开的多个电介质层、插设在所述多个电介质层之间的多个电极、和插设在所述多个电介质层之间的多个停止层；以及穿透堆叠结构的垂直沟道结构。所述多个电极和所述多个停止层中的每个分别设置在所述多个电介质层中的相邻电介质层之间，所述多个停止层包括第一停止层和插设在第一停止层与衬底之间的第二停止层，以及所述多个电极中的至少一个插设在第一停止层和第二停止层之间。
三维半导体存储器件

[实用新型]箕斗箱挂钩监测装置-CN201922257344.1有效
发明人：马明辉;李红旗;徐伟章;陈德文;范修贞;李晓东;翟永海;李望盛;李东植;王昭雷;孙胜亮;潘磊;戴文博 -专利权人：锡林郭勒盟山金阿尔哈达矿业有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： B66B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了箕斗箱挂钩监测装置，涉及矿山开采运输设备技术领域。包括井筒壁上的弹性件触头，弹性件触头电连接于外接控制柜电源的正负极，箕斗箱外壁上的绝缘板上固定有金属板，金属板与弹性件触头一一对应，箕斗箱运行至第一位置时，金属板与弹性件触头弹性相抵，箕斗箱运行至第二位置时，金属板与弹性件触头脱离；箕斗箱上固定有限位开关，限位开关上的两个接线端子各电连接一块金属板，当箕斗箱上的挂钩的第一部分完全插入钩槽时，挂钩的第二部分与限位开关的摇杆接触并使摇杆产生移位，当挂钩的第一部分从钩槽拔出时，挂钩的第二部分与限位开关的摇杆分离且摇杆自动回位。从而解决了现有技术中无法监测箕斗箱的挂钩是否关闭到位的问题。
箕斗挂钩监测装置

[实用新型]孔口密封装置及具有该密封装置的钻机-CN201922257345.6有效
发明人：马明辉;李红旗;徐伟章;沙鸥;陈德文;刘兴宇;孙胜亮;李望盛;范修贞;徐煜盛;翟永海;戴文博;王昭雷;李东植;李晓东;潘磊 -专利权人：锡林郭勒盟山金阿尔哈达矿业有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： E21B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了孔口密封装置，涉及矿山坑道勘探技术领域。包括第一密封组件和第二密封组件；第一密封组件包括第一套管、胶圈组件及第一螺母，第一套管第一段的外壁上设有第一凸起，第一套管第二段的外壁上设有第一外螺纹，胶圈组件套在第一套管上，第一螺母套在第一外螺纹上；第二密封组件包括管接头、第二套管、第二螺母及第一胶圈，第二套管的外壁上设有第二外螺纹，第二螺母尾部的内壁上设有第二凸起，第二螺母套在第二外螺纹上，第一胶圈放置在第二螺母的内腔里，管接头的第一开口与第一套管连接，管接头的第二开口与第二套管连接，管接头的第三开口与外接水管连通；从而解决了现有技术中地质钻机无法打上斜孔来取岩芯的钻探作业的问题。
孔口密封装置具有钻机

[发明专利]半导体器件-CN202010029757.9在审
发明人：黄盛珉;任峻成;梁宇成;李东植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件包括：栅电极，在与衬底上表面垂直的第一方向上彼此间隔开，并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸不同的长度。该器件还包括：第一沟道和第二沟道，穿透栅电极并在第一方向上延伸；水平部分，设置在栅电极的下部中，并且将第一沟道和第二沟道的下部彼此连接；以及源极线，设置在第二沟道的上部中并连接到第二沟道。栅电极包括存储器单元中包括的存储器单元电极、设置在存储器单元电极的下部中的第一接地选择电极、设置在存储器单元电极的上部中的第二接地选择电极、以及设置在存储器单元电极的上部中的串选择电极。
半导体器件

[发明专利]三维半导体存储器件-CN201910954716.8在审
发明人：崔康润;李东植;金钟源;李吉成;赵恩锡;崔炳镕;黄盛珉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括单元阵列区域和连接区域，所述衬底包括形成在所述连接区域上的虚设沟槽；电极结构，所述电极结构位于所述衬底上并且包括在所述连接区域上具有阶梯结构竖直堆叠的电极；虚设绝缘结构，所述虚设绝缘结构设置在所述虚设沟槽中，所述虚设绝缘结构包括与所述衬底和所述电极结构间隔开的蚀刻停止图案；单元沟道结构，所述单元沟道结构设置在所述单元阵列区域上，并且穿过所述电极结构且与所述衬底接触；以及虚设沟道结构，所述虚设沟道结构设置在所述连接区域上，并且穿过所述电极结构和所述虚设绝缘结构的一部分且与所述蚀刻停止图案接触。
三维半导体存储器件

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