[发明专利]MEMS器件及其制造方法在审
申请号: | 202110074154.5 | 申请日: | 2021-01-20 |
公开(公告)号: | CN112897454A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 季锋;闻永祥;刘琛;吴仕剑;程燕;贺锦 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;B81B7/02 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;杨思雨 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请公开了一种MEMS器件及其制造方法,该制造方法包括:在第一衬底上形成牺牲层;在牺牲层上形成功能层;在功能层的表面的键合区上形成金属保护层;去除部分功能层形成第一通道;经由第一通道去除部分牺牲层形成空腔,以释放部分功能层形成可移动质量块;形成第一有机膜,第一有机膜覆盖金属保护层、功能层的表面、第一通道与空腔的内表面;加热第一有机膜,以使金属保护层上的第一有机膜的有机分子被破坏;以及去除金属保护层,以暴露键合区。该制造方法通过去除金属保护层将其上的有机膜去除,从而暴露出键合区,其他区域的有机膜被保留,兼顾了键合与保护的功能。 | ||
搜索关键词: | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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