[实用新型]一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管有效
| 申请号： | 202022804988.0 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN213692063U | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张凌鹓;张心波;蒋凯;王梦艳 | 申请（专利权）人： | 安徽凌波电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 233200 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管，包括半导体二极管本体，所述半导体二极管本体的底部设有正电极和负电极，所述正电极的外部设有紧固件，所述紧固件包括连接件一和连接件二，所述连接件一和所述连接件二之间设有固定块，所述固定块和所述连接件一通过一体成型，所述固定块的内部设有嵌入块，所述嵌入块和所述连接件二通过一体成型，所述嵌入块嵌入在所述固定块的内部通过螺栓和螺母进行固定，所述固定块的外部设有隔板。该低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管通过设有的连接件一和连接件二通过设有的固定块和嵌入块配合连接固定，从而能够提高该半导体二极管在安装使用的过程中的稳定性，以此保证半导体二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 恢复 金属 氧化物 半导体 二极管 | ||
【主权项】：
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