[实用新型]一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管有效
申请号: | 202022804988.0 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN213692063U | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 张凌鹓;张心波;蒋凯;王梦艳 | 申请(专利权)人: | 安徽凌波电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L23/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 233200 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功耗 恢复 金属 氧化物 半导体 二极管 | ||
本实用新型公开了一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管,包括半导体二极管本体,所述半导体二极管本体的底部设有正电极和负电极,所述正电极的外部设有紧固件,所述紧固件包括连接件一和连接件二,所述连接件一和所述连接件二之间设有固定块,所述固定块和所述连接件一通过一体成型,所述固定块的内部设有嵌入块,所述嵌入块和所述连接件二通过一体成型,所述嵌入块嵌入在所述固定块的内部通过螺栓和螺母进行固定,所述固定块的外部设有隔板。该低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管通过设有的连接件一和连接件二通过设有的固定块和嵌入块配合连接固定,从而能够提高该半导体二极管在安装使用的过程中的稳定性,以此保证半导体二极管的性能。
技术领域
本实用新型涉及半导体二极管技术领域,具体为一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管。
背景技术
二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件,二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能,现有的低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管由于在正电极和负电极的外部没有设有紧固件导致会出现在安装使用的过程中的稳定性变低,以此不能保证半导体二极管的性能。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管,解决了背景技术中所提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管,包括半导体二极管本体,所述半导体二极管本体的底部设有正电极和负电极,所述正电极的外部设有紧固件,所述紧固件包括连接件一和连接件二,所述连接件一和所述连接件二之间设有固定块,所述固定块和所述连接件一通过一体成型,所述固定块的内部设有嵌入块,所述嵌入块和所述连接件二通过一体成型,所述嵌入块嵌入在所述固定块的内部通过螺栓和螺母进行固定,所述固定块的外部设有隔板。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述正电极和负电极的外部设有绝缘套。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述连接件一和所述连接件二的内侧面设有卡扣,所述卡扣卡在绝缘套的内部进行固定。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述连接件一的外侧面设有滑动槽。
作为本实用新型的一种优选实施方式,所述滑动槽的内部设有滑动块,所述滑动块和所述隔板通过一体成型。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
该低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管通过在正电极和负电极的外部设有紧固件,设有的紧固件包括连接件一和连接件二,设有的连接件一和连接件二通过设有的固定块和嵌入块配合连接固定,从而能够提高该半导体二极管在安装使用的过程中的稳定性,以此保证半导体二极管的性能。
附图说明
图1为本实用新型一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管的主视图,图2为本实用新型一种低功耗快恢复金属氧化物半导体二极管的A部分放大图。
图中:半导体二极管本体1、正电极2、负电极3、紧固件4、连接件一5、连接件二6、固定块7、嵌入块8、隔板9、绝缘套10、卡扣11、滑动槽12、滑动块13。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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