[发明专利]在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法

摘要

本发明公开了一种在MOSFET接触孔上沉积RRAM底电极的工艺方法，包含：第一步，在制作RRAM的相应的第一介质层及接触孔钨栓填充之后，对第一介质层及接触孔钨栓进行平坦化研磨；第二步，在整个器件表面再沉积第二介质层，覆盖第一介质层及接触孔钨栓；第三步，涂覆光刻胶，以光刻胶定义打开RRAM底电极形成区域的窗口；第四步，利用刻蚀工艺去除窗口内的第二介质层，露出接触孔钨栓；第五步，去除光刻胶；第六步，在整个器件表面沉积底电极导电介质层；第七步，进行CMP工艺，对沉积的底电极导电介质层进行研磨。本方法形成的底电极层能够与接触孔钨栓保持良好的接触，且底电极层的厚度由第二介质层的厚度来进行控制，具有较好的厚度均一性，能显著提升的性能。