[发明专利]电阻随机存取存储器器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201680030630.0 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107636822B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | R·皮拉里塞泰;P·马吉;U·沙阿;N·慕克吉;E·卡尔波夫;B·多伊尔;R·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L23/48;H01L23/52;H01L29/40;H01L45/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容提供用于形成电阻随机存取存储器(RRAM)器件的系统和方法。根据本公开内容的RRAM器件包括衬底和布置在其上的第一电极。RRAM器件包括布置在第一电极之上的第二电极和布置在第一电极和第二电极之间的RRAM电介质层。RRAM电介质层具有在第二电极和RRAM电介质层之间的界面处的顶部中心部分处的凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻随机存取存储器器件，包括：衬底；第一电极，其布置在所述衬底之上；第二电极，其布置在所述第一电极之上；以及电阻随机存取存储器氧化物层，其布置在所述第一电极和所述第二电极之间；其中所述电阻随机存取存储器氧化物层具有在所述第二电极和所述电阻随机存取存储器氧化物层之间的界面处的凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
