[发明专利]清洁方法和等离子体处理装置在审
申请号: | 202011307540.6 | 申请日: | 2020-11-20 |
公开(公告)号: | CN112885695A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 高山贵光;佐佐木淳一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种清洁方法和等离子体处理装置,用于抑制对载置台的损伤,并且去除沉积于载置台的外周部的沉积物。清洁方法为等离子体处理装置中的载置台的清洁方法,包括进行分离的工序和进行去除的工序。在进行分离的工序中,使用升降机构来使载置台与基板分离。在进行去除的工序中,在进行分离的工序之后,通过从高频电源向载置台供给高频电力来生成等离子体,从而去除沉积于载置台的沉积物。另外,在进行分离的工序中,载置台与基板的分离距离设定为形成于载置台的外周部周边的合成阻抗比形成于载置台的中心部正上方的合成阻抗低。 | ||
搜索关键词: | 清洁 方法 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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