[发明专利]转移设备、其制作方法以及微元件的转移方法在审
| 申请号： | 202011306742.9 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112967989A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 蒲洋;王然龙 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种转移设备、其制作方法以及微元件的转移方法。该转移设备，包括：支撑结构，具有多个第一凹槽；第一粘结层，设于支撑结构上且与第一凹槽形成容纳腔体；以及热膨胀层，设于容纳腔体中，热膨胀层在吸收热量后挤压第一粘结层使第一粘结层产生形变。该转移设备解决了现有技术中的转移设备不可控的问题，并且使用该转移设备转移微元件的转移良率相比现有技术有所提升。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 设备 制作方法 以及 元件 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
