[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202011296256.3 | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112820728A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡中揆;千宽永;金润镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/105;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，包括：一对第一和第二虚设有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上彼此间隔开；一对第一和第二电路有源区，在第一水平方向上延伸并且在第二水平方向上间隔开；以及多个线图案，在第二水平方向上延伸并且在第一水平方向上间隔开。所述一对第一和第二虚设有源区可以在所述多个线图案当中的彼此相邻的一对线图案之间。第一和第二虚设有源区中的至少一个可以具有宽度改变部分，在该宽度改变部分中，第一和第二虚设有源区中的所述至少一个的宽度在彼此相邻的所述一对线图案之间在第二水平方向上改变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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