[发明专利]半导体结构形成在审
| 申请号： | 202011251920.2 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112992791A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | F·A·席赛克-艾吉;C·雅各布 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请案涉及半导体结构形成。实例设备包含形成在衬底中的第一源极/漏极区及第二源极/漏极区。所述第一源极/漏极区及所述第二源极/漏极区通过所述沟道分离。所述实例设备进一步包含通过电介质材料与所述沟道分离的栅极，及形成在连接到所述栅极的高纵横比沟槽中的存取线。所述存取线包含形成在所述沟槽中的第一氮化钛TiN材料、形成在所述第一TiN材料上方的金属材料及形成在所述金属材料上方的第二TiN材料。所述实例设备进一步包含耦合到所述第一源极/漏极区的感测线及耦合到所述第二源极/漏极区的存储节点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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