[发明专利]含有金属硅化物红外吸收层的石墨烯场效应电荷耦合器件在审
| 申请号： | 202011247048.4 | 申请日： | 2020-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN112420809A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 徐杨;吕建杭;刘威;刘亦伦;刘晨;俞滨 | 申请（专利权）人： | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/768;H01L27/148 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静 |
| 地址： | 311215 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有金属硅化物红外吸收层的石墨烯场效应电荷耦合器件，包括栅极、金属硅化物红外吸收层、硅衬底、氧化物绝缘层、源极、漏极和单层石墨烯薄膜；入射光照射到器件表面时，可见光被半导体硅吸收，其产生的少数载流子被积累到硅的深耗尽势阱里；红外光穿过硅层，被金属硅化物与硅形成的异质结所吸收，在电场的作用下，产生的少数载流子被注入到体硅的深耗尽势阱中。当硅中产生光生空穴积累时，器件上层的石墨烯会耦合出与势阱中的空穴对应的等量电子，从而改变石墨烯的电导率，从石墨烯的电流中能够读出硅势阱中的电荷。本发明拓展了硅基CCD器件在红外波段的光谱响应范围，保持了硅基CCD噪声小、可靠性高、工艺成熟、成本低廉等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 金属硅 红外 吸收 石墨 场效应 电荷耦合器件 | ||
【主权项】：
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