[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 202011184088.9 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112750775A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 林志昌;陈仕承;张罗衡;张荣宏;江国诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 此处说明采用介电结构的半导体装置与半导体装置的形成方法。半导体装置关于全绕式栅极装置，其形成于基板上并彼此隔有介电结构。介电结构形成于两个全绕式栅极装置之间的鳍状物上，并将形成于鳍状物上的栅极切割成两个分开的栅极。两个全绕式栅极装置亦具有底间隔物于全绕式栅极装置的源极/漏极区之下。底间隔物隔离源极/漏极区与基板。介电结构具有浅底部，其高于底间隔物的底部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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