[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202011178384.8 申请日: 2020-10-29
公开(公告)号: CN112928092A 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 小川裕贵 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/367;H01L21/48
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 周春燕;杨敏
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法,削减制造成本而进行特性改善。半导体装置(10)具有绝缘电路基板(22),该基板具有:散热板(25),具备正面;树脂基板(23),具备正面和固接于该正面的背面,且含有树脂;电路图案(24a、24b),具备正面和固接于该正面的背面。半导体装置(10)具有接合于正面的第一半导体芯片(21a)、第二半导体芯片(21b)和外部连接端子(41a)中的至少任一方,电路图案(24b)的至少对置的一对侧部各自由树脂基板(23)支撑。在这样的半导体装置(10)中,在通过超声波接合将外部连接端子(41a)接合于电路图案(24b)时,电路图案(24b)由于由树脂基板(23)支撑,所以不会从树脂基板(23)剥离。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011178384.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top