[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
申请号: | 202011178384.8 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112928092A | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 小川裕贵 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/367;H01L21/48 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周春燕;杨敏 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法,削减制造成本而进行特性改善。半导体装置(10)具有绝缘电路基板(22),该基板具有:散热板(25),具备正面;树脂基板(23),具备正面和固接于该正面的背面,且含有树脂;电路图案(24a、24b),具备正面和固接于该正面的背面。半导体装置(10)具有接合于正面的第一半导体芯片(21a)、第二半导体芯片(21b)和外部连接端子(41a)中的至少任一方,电路图案(24b)的至少对置的一对侧部各自由树脂基板(23)支撑。在这样的半导体装置(10)中,在通过超声波接合将外部连接端子(41a)接合于电路图案(24b)时,电路图案(24b)由于由树脂基板(23)支撑,所以不会从树脂基板(23)剥离。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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