[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件中包括衬底和形成在衬底上的至少一个静态随机存取存储单元，由于该静态随机存取存储单元中与第一传输门晶体管和第二传输门晶体管栅极连接的字线、与第一上拉晶体管和第一下拉晶体管漏极连接的第一连接线，与第二上拉晶体管和第二下拉晶体管漏极连接的第二连接线同层设置。以使字线层无须设置在第一连接线和第二连接线所在的金属层上方，如此可减少一层金属层的使用，进而使得本发明的半导体器件工艺和结构简单化，且减小了寄生电容，防止电阻电容延迟。