[发明专利]一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法

摘要

一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。涉及一种芯片背面减薄后的去应力清洗工艺，尤其涉及一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。提供了一种提高背面金属与Si之间的结合力的一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。本发明主要改进了硅腐蚀液的配方，常温下，硅单质在纯HF中的腐蚀速率很小，可忽略为不反应，但是如果加入HNO3,腐蚀速率会大大增加，其中HNO3作为氧化剂氧化了单质Si。利用硝酸的强氧化性，先将Si氧化为SiO2，再由HF将二氧化硅去除。缓冲剂提供H+来源，使腐蚀速率能够保持稳定。本发明具有加工简便，提升背面结合力等特点。