[发明专利]双极结型晶体管(BJT)及其形成方法在审
| 申请号： | 202011067688.7 | 申请日： | 2020-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750900A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 郭俊聪;卢玠甫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例针对用于形成双极结型晶体管(BJT)的方法。介电膜沉积在衬底上方，并且包括下介电层、上介电层以及位于下介电层和上介电层之间的中间介电层。第一半导体层沉积在介电膜上方，并且随后图案化以形成暴露介电膜的开口。穿过开口对上介电层实施第一蚀刻，以将开口延伸至中间介电层。此外，第一蚀刻停止在中间介电层上，并且横向底切第一半导体层。实施额外的蚀刻以将开口延伸至衬底。下基极结构和发射极形成为堆叠在开口中并且填充开口，并且图案化第一半导体层以形成上基极结构。本申请的实施例还涉及双极结型晶体管(BJT)。 | ||
| 搜索关键词： | 双极结型 晶体管 bjt 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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