[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011006720.0 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112687643A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 沈香谷;林濬理;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李晔;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供半导体装置及其形成方法。在一实施例中，一种半导体装置包括重分配层，重分配层包括第一导电部件及第二导电部件；第一接触部件设置在第一导电部件之上，并电性耦合至第一导电部件；第二接触部件设置在第二导电部件之上，并电性耦合至第二导电部件；以及保护部件，保护部件从第一导电部件与第二导电部件之间延伸至第一接触部件与第二接触部件之间。保护部件包括介电部件以及介电层。介电层设置在介电部件的平坦顶表面上，且介电部件的组成不同于介电层的组成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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