[发明专利]半导体装置

说明书

本发明实施例提供半导体装置及其形成方法。在一实施例中，一种半导体装置包括重分配层，重分配层包括第一导电部件及第二导电部件；第一接触部件设置在第一导电部件之上，并电性耦合至第一导电部件；第二接触部件设置在第二导电部件之上，并电性耦合至第二导电部件；以及保护部件，保护部件从第一导电部件与第二导电部件之间延伸至第一接触部件与第二接触部件之间。保护部件包括介电部件以及介电层。介电层设置在介电部件的平坦顶表面上，且介电部件的组成不同于介电层的组成。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置及其形成方法，且尤其涉及一种具有多层保护结构的半导体装置及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业经历快速的成长。IC材料及设计的技术进步已经产生了数个IC世代，每一IC世代的电路都比上一世代更小更复杂。然而，这些进步也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要在IC工艺和制造中进行相似的发展。在IC发展的过程中，一般来说，功能密度(即，每个芯片区域的内连线装置的数量)增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺创建的最小组件)减小。

例如，IC被形成在半导体基板上，其半导体基板可以被切割成单独的装置管芯或IC芯片。每个IC芯片可以进一步附接(例如通过接合)至中介层、重构晶片、电路板或另一个管芯以形成封装或装置。为了满足各种布线需求，可以在IC芯片上形成导电金属线的重分配层(redistribution layer,RDL)，以将接合连线从芯片的边缘重新布线到芯片的中心，或者将接合连线分布到大于IC芯片面积的区域。一个或多个保护层已被施用在RDL周围，以保护半导体表面免受电性短路、应力及化学污染物的影响。然而，一些保护层在随后的退火工艺中容易产生应力和裂纹，并可能导致邻近的金属接触件之间产生空隙或裂纹。因此，尽管现有的保护层及其制造通常已足以满足其预期目的，但它们并非在所有方面都令人满意。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括重分配层，重分配层包括第一导电部件及第二导电部件；第一接触部件设置在第一导电部件之上，并电性耦合至第一导电部件；第二接触部件设置在第二导电部件之上，并电性耦合至第二导电部件；以及保护部件，保护部件从第一导电部件与第二导电部件之间延伸至第一接触部件与第二接触部件之间。保护部件包括：介电部件，介电部件包括平坦顶表面，平坦顶表面从邻近第一接触部件的保护部件的第一端延伸至邻近第二接触部件的保护部件的第二端，以及介电层设置在介电部件的平坦顶表面上。介电部件的组成不同于介电层的组成。

本发明实施例提供一种形成半导体装置的方法。其方法包括接收集成电路工件，集成电路工件包括重分配层，重分配层设置在内连线结构之上，并电性耦合至内连线结构；图案化重分配层以形成凹口，凹口位于重分配层的第一导电部件与第二导电部件之间，且凹口分隔重分配层的第一导电部件与第二导电部件；利用第一沉积技术，沉积第一介电层于重分配层及凹口之上：利用与第一沉积技术不同的第二沉积技术，沉积第二介电层于第一介电层之上；利用与第二沉积技术不同的第三沉积技术，沉积第三介电层于第二介电层之上；平坦化第二介电层及第三介电层以提供平坦表面；以及沉积第四介电层于平坦表面之上。第四介电层的组成不同于第一介电层、第二介电层或第三介电层的组成。

本发明实施例提供一种形成半导体装置的方法。其方法包括接收集成电路工件，集成电路工件包括重分配层，重分配层设置在内连线结构之上，并电性耦合至内连线结构；图案化重分配层以形成凹口，凹口位于重分配层的第一导电部件与第二导电部件之间，且凹口分隔重分配层的第一导电部件与第二导电部件；利用高密度电浆化学气相沉积，沉积第一氧化物层于重分配层及凹口之上；沉积第二氧化物层于第一氧化物层之上；平坦化第一氧化物层及第二氧化物层以提供平坦顶表面；以及沉积氮化物层于平坦顶表面之上。

附图说明