[发明专利]具有非晶帽盖层的光刻掩模在审

申请号：	202010913267.5	申请日：	2020-09-03
公开（公告）号：	CN113253562A	公开（公告）日：	2021-08-13
发明（设计）人：	李信昌;许倍诚;钱志道;陈明威;连大成	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	G03F1/24	分类号：	G03F1/24
代理公司：	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258	代理人：	陈蒙
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本公开涉及具有非晶帽盖层的光刻掩模。多层反射结构被设置在衬底之上。非晶帽盖层被设置在多层反射结构之上。非晶帽盖层可以包括钌、氧、铌、氮、钽或锆。非晶层也可以被设置在多层反射结构与非晶帽盖层之间。非晶层包括非晶硅、非晶氧化硅或非晶氮化硅。
搜索关键词：	具有非晶帽盖层光刻
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申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的曝光成像结构、反射式光掩模版组及投影式光刻机，曝光成像结构包括：第一反射式光掩模版，包括第一透光基底和第一反射式掩模图形；第二反射式光掩模版，包括第二透光基底和第二反射式掩模图形；反射装置；曝光光线经第一反射式光掩模版后，将带有第一反射式光掩模版的图形信息的反射光经反射装置反射至第二反射式光掩模版，使得从第二反射式光掩模版反射出的光线可界定出同时包含第一反射式掩模图形和第二反射式掩模图形的组合投影图案，以通过组合投影图案在晶圆上实现一次性曝光。本发明可有效提高光刻机的分辨率和对比度，并简化光刻工艺。

微影方法-202111563239.6
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申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明公开一种微影方法，其包含有使用一透明光罩保持容器收纳一包含一电路图案的光罩，将上述透明光罩保持容器移入一微影设备中，令上述微影设备产生一特定波长的辐射光束穿入上述透明光罩保持容器投射于上述光罩的电路图案上，以及使通过上述光罩的辐射光束穿出上述透明光罩保持容器将电路图案投影转印至一晶圆的表面，而完成光罩的电路图案转印至晶圆表面的微影制程，以此，让光罩能在被保护于透明光罩保持容器内部时进行微影制程，而提高对光罩的保护，以降低微影制程中因提取光罩所造成的意外污染。

反射型掩模坯料和反射型掩模-202211432845.9
发明人：生越大河;高坂卓郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。所述反射型掩模坯料，包括基板、在所述基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜。所述多层反射膜具有在其中交替层叠低折射率层和高折射率层的周期性层叠结构部，并且所述低折射率层中的至少一个具有两层结构，所述两层结构由含有钼和至少一种选自由氮、碳、硼、硅和氢构成的组的添加元素的一层和含有钼并基本上不含除钼之外的其它元素的另一层组成。

用于反射掩模坯料的带膜衬底、反射掩模坯料和制造反射掩模的方法-202211212404.8
发明人：高坂卓郎;生越大河 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明涉及一种用于反射掩模坯料的带膜衬底、反射掩模坯料和制造反射掩模的方法。所述用于反射掩模坯料的带膜衬底包括衬底、在与衬底接触侧处的具有一种组成且在最远离衬底侧的不同组成具有不同组成的多层反射膜和背面导电膜。与衬底接触侧处的组成包含硅和氮作为主要组成，而最远离衬底侧处的组成含有钽作为主要组成，以及选自硅、锗和铝中的至少一种元素。

极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法-202210859358.4
发明人：李信昌;许倍诚;李伟豪;林秉勋;连大成;余青芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本公开涉及极紫外掩模、使用极紫外掩模的方法以及图案化方法。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠、以及位于反射多层堆叠上的单层或多层帽盖特征。帽盖特征包括一个或多个帽盖层，该一个或多个帽盖层包括具有非晶结构的材料。其他描述的实施例包括(一个或多个)帽盖层，该(一个或多个)帽盖层包含具有小于约3的第一固态碳溶解度的(一种或多种)元素。在多层帽盖特征实施例中，各个帽盖层的(一种或多种)元素具有不同的固态碳溶解度特性。

具有帽盖层的极紫外掩模-202210816581.0
发明人：李伟豪;许倍诚;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本申请公开了具有帽盖层的极紫外掩模。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠和位于反射多层堆叠上的多层帽盖特征。多层帽盖特征包括第一帽盖层和第二帽盖层，第一帽盖层包括包含具有第一碳溶解度的元素的材料，第二帽盖层包括包含具有第二碳溶解度的元素的材料。第一碳溶解度与第二碳溶解度不同。在一些实施例中，第一帽盖层的材料的元素和第二帽盖层的元素针对波长为13.5nm的EUV具有不同的消光系数。

用于EUV光刻的反射式光掩模版结构及其制备方法-202211615566.6
发明人：季明华;黄早红;任新平 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明提供一种用于EUV光刻的反射式光掩模版结构及其制备方法，包括：提供一石英基底；于所述石英基底上沉积反射叠层，于所述反射叠层中形成贯穿槽，以形成吸收图案，所述吸收图案以外的所述反射叠层区域形成反射图案。本发明在石英基底上仅设置反射层而不设置吸收层，通过在反射层中设置贯穿槽显露出底部的石英基底，并直接采用石英基底对13.5纳米波长的曝光光线进行吸收，不需要在反射层上设置吸收层，大大简化了光掩模版的结构和制备工艺，相比于传统结构，本发明可以有效消除吸收层对反射光的影响，提高光刻的分辨率和对比度。

反射式光掩模及其制作方法-201711085885.X
发明人：陈俊郎;涂志强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明实施例提供一种制作掩模底版的方法包括在衬底的上方沉积反射性多层；在所述反射性多层的上方沉积顶盖层；在所述顶盖层的上方沉积吸收体层；以及在所述吸收体层的上方沉积减反射涂布层。所述减反射涂布层是单一材料膜。

反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法-202210690653.1
发明人：高坂卓郎;生越大河;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料和制造反射型掩模的方法。对于在使用EUV光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用反射型掩模坯料而言，提供包括基板、具有周期性层叠结构的多层反射膜、保护膜和吸收体膜的反射型掩模坯料，其中在所述周期性层叠结构中交替层叠高折射率层和包含含钼材料的低折射率层。所述低折射率层由一个或多个第一低折射率子层和一个或多个具有与所述第一低折射率子层的组成不同的组成的第二低折射率子层组成。

用于EUV光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法-202210003300.X
发明人：河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本公开涉及用于EUV光刻的相移掩模和该相移掩模的制造方法。提供了一种用于极紫外光刻的相移掩模和制造该相移掩模的方法。该相移掩模包括基板、反射层、装置图案、框架图案或相移图案。框架图案是包括暴露反射层的部分的对准孔的图案。相移图案与装置图案交叠。

用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法-202210492979.3
发明人：赵子昂;郑兆钦;汪涵;李明洋;皮特纳·麦可·格列高里 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G03F1/24
摘要：用于EUV光掩模的薄膜包括第一层、第二层以及设置在第一层和第二层之间的主膜。主膜包括多个同轴纳米管，多个同轴纳米管的每个包括内管和围绕内管的一个或多个外管，并且内管和一个或多个外管中的两个由彼此不同的材料制成。本申请的实施例还涉及用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法。

用于EUV反射掩模的薄膜及其制造方法-202210553811.9
发明人：赵子昂;郑兆钦;汪涵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G03F1/24
摘要：用于EUV光掩模的薄膜包括：第一层；第二层；以及主层，设置在第一层和第二层之间并且包括多个纳米管。第一层或第二层中的至少一个包括其中堆叠有一个或多个二维层的二维材料。在以上和以下的一个或多个实施例中，第一层包括第一二维材料并且第二层包括第二二维材料。本申请的实施例还涉及用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜及其制造方法。

反射型掩模胚料及反射型掩模的制造方法-202210381403.X
发明人：高坂卓郎 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明的反射型掩模胚料包括：基板10；设置在所述基板10上且用于反射曝光光线的多层反射膜20；设置在所述多层反射膜20上且包括金属氧化膜51的保护膜50；以及设置在所述保护膜50上且用于吸收曝光光线的吸收体膜70，其中，所述多层反射膜20中的Mo层22与Si层21交替层叠，距离所述基板10最远的一侧的层是Si层21，在所述金属氧化膜51中，与所述基板10侧相比，远离所述基板10一侧的层的氧含量变高。

带有合金基吸收体的极紫外掩模-202210458972.X
发明人：许倍诚;林秉勋;连大成;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本公开涉及带有合金基吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、衬底上的反射多层堆叠和反射多层堆叠上的多层经图案化吸收体层。所公开的实施例包括含有如下合金的吸收体层：该合金包括钌Ru、铬Cr、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、钨W或钯Pd以及至少一种合金元素。该至少一种合金元素包括钌Ru、铬Cr、钽Ta、铂Pt、金Au、铱Ir、钛Ti、铌Nb、铑Rh、钼Mo、铪Hf、硼B、氮N、硅Si、锆Zr或钒V。其他实施例包括具有包含合金和合金元素的层的多层经图案化吸收体结构，其中多层结构中的至少两层具有不同的成分。

反射型掩模坯料和反射型掩模-202210196580.0
发明人：三村祥平;金子英雄;寺泽恒男 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。反射型掩模坯料，其为在使用EUV光作为曝光光的EUV蚀刻法中使用的反射型掩模用材料，包括基板、在基板的一个主表面上形成的并反射曝光光的多层反射膜、和在多层反射膜上形成的并吸收曝光光的含有钨、和另一金属、半金属或轻元素的吸收体膜。

反射型掩模坯料及其制造方法-202210196543.X
发明人：寺泽恒男;金子英雄;三村祥平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明涉及反射型掩模坯料及其制造方法。反射型掩模坯料的吸收体膜用金属和半金属元素选自分别包括在第一、第二和第三区域中的第一、第二和第三元素，其由每种金属和半金属元素的单质的折射率n和消光系数k限定，并且通过所选择的金属和半金属元素形成吸收体膜从而具有反射率比为0.05至0.25和相位偏移为180至260°。

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发明人：孙磊;O·R·伍德二世;G·贝克;陈宇路;E·沃尔杜伊恩;F·古德温 -专利权人：格芯美国公司
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摘要：本发明涉及极紫外(EUV)光刻掩模。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及极紫外(EUV)光刻掩模及其制造方法。该EUV掩模结构包括：反射层；位于所述反射层上的覆盖材料；位于所述覆盖层上的缓冲层；位于所述缓冲层上交替吸收体层；以及位于所述交替吸收体层顶部上的覆盖层。

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摘要：本发明涉及一种EUV掩膜和利用所述EUV掩膜制造的光掩膜。所述EUV掩膜包括：反射层，其在基底之上；覆盖层，其包括在反射层之上的多孔隙氢捕获层；吸收层，其在覆盖层之上。

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发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
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摘要：本发明提供了一种EUV光掩模版的制造方法及EUV光掩模版，在EUV掩模坯体中形成第一图案和/或第二图案后，对所述第一图案和/或所述第二图案的暴露表面进行等离子体处理，以至少使所述第一图案的暴露表面被处理为掺杂的且疏水性的疏水层(厚度较薄，例如小于2nm或小于1nm)，不仅对EUV光掩模版的光反射率或吸光度的影响最小，而且水分或颗粒或其他污染物等不容易吸附在EUV光掩模版的疏水层表面上，方法简单，且不再需要EUV防护罩，降低成本。

极紫外光罩和形成极紫外光罩的方法-202210080721.2
发明人：林秉勳;许倍诚;余青芳;连大成;陈嘉仁;李信昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G03F1/24
摘要：提供了一种极紫外光罩和形成极紫外光罩的方法，极紫外光罩包括基板、位于基板上的反射多层堆叠及位于反射多层堆叠上的覆盖层。在反射多层堆叠上形成覆盖层之前，对反射多层堆叠进行处理。通过离子辅助离子束沉积或离子辅助溅射制程形成覆盖层。

反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法-202210780838.1
发明人：季明华;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明提供了一种反射型掩模基板及制备方法、反射型掩模版及制备方法。该反射型掩模基板和反射型掩模版中，利用反射堆叠层内的离子注入区界定出相移区的相移图案，消除了以传统方式形成相移图案时产生的凸起的相移膜层结构，有效解决了因凸起的相移膜层结构引起的阴影效应而导致图案偏移的问题。并且，本发明提供的反射型掩模版的制备方法，其相应的利用离子注入的方式形成具有相移图案的离子注入区，不仅可以实现工艺简化，并且工艺精度更高，有利于提高最终界定出的相移掩模图案的图形精度。

EUV光刻用表膜及其制造方法-202110986701.7
发明人：河泰中 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本申请涉及EUV光刻用表膜及其制造方法。公开了一种极紫外EUV光刻用表膜及其制造方法。EUV光刻用表膜包括具有多个通孔的表膜膜片。表膜膜片包括芯层和覆盖并保护芯层的保护层。框架支撑表膜膜片。

反射型掩模以及反射型掩模的制造方法-202080072898.7
发明人：市川显二郎;合田步美;中野秀亮 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F1/24
摘要：本发明提供反射型掩模及其制造方法，该反射型掩模具有沿着转印图案的最表面和侧面均匀地形成、且EUV透射率高、耐清洗性高的被覆膜。因此，例如，反射型掩模(10)具备：基板(1)、形成在基板(1)上并反射入射的EUV光的多层反射膜(2)、形成在多层反射膜(2)上的至少一部分并吸收入射的EUV光的吸收层(4)、以及形成在多层反射膜(2)上和吸收层(4)上并透射入射的EUV光的被覆膜(5)，被覆膜(5)对于EUV光的消光系数k为0.04以下、具有对利用清洗液进行清洗的耐性、并且以均匀的膜厚形成在吸收层(4)的表面和侧面。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]具有非晶帽盖层的光刻掩模在审

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