[发明专利]高粘度光刻胶的涂胶方法在审

专利信息
申请号: 202010821046.5 申请日: 2020-08-14
公开(公告)号: CN111905989A 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 贺晓彬;张青竹;殷华湘;李俊峰;李亭亭;刘金彪 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: B05D1/00 分类号: B05D1/00;B05D1/26;G03F7/16
代理公司: 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 代理人: 金铭
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及半导体制造工艺技术领域,具体涉及一种高粘度光刻胶的涂胶方法,包括以下步骤:真空吸盘带动所述晶圆旋转;滴胶装置移动至晶圆的边缘处进行滴胶,接着所述滴胶装置沿着所述晶圆的径向朝所述晶圆的中心移动;所述滴胶装置到达所述晶圆的中心进行再次滴胶。本申请通过先边缘后中心的滴胶方法,使得高粘度光刻胶的涂敷更加均匀;且可以节省光刻胶用量。
搜索关键词: 粘度 光刻 涂胶 方法
【主权项】:
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