[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法在审

申请号：	202010723462.1	申请日：	2020-07-24
公开（公告）号：	CN112002779A	公开（公告）日：	2020-11-27
发明（设计）人：	徐琛	申请（专利权）人：	隆基绿能科技股份有限公司
主分类号：	H01L31/0747	分类号：	H01L31/0747;H01L31/0725;H01L31/0376;H01L31/20
代理公司：	北京知迪知识产权代理有限公司 11628	代理人：	王胜利
地址：	710100 陕西***	国省代码：	陕西;61
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摘要：	本发明公开一种硅异质结太阳能电池以及硅异质结太阳能电池的制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以在保证本征非晶硅层钝化效果的同时，提高本征非晶硅层的膜层质量。该硅异质结太阳能电池，包括：晶硅基底；至少形成在晶硅基底一面上的本征非晶硅叠层；本征非晶硅叠层包括层叠设置的至少三层本征非晶硅层；沿背离硅基底的方向，各层本征非晶硅层含有的氢元素含量逐渐减小。本发明提供的硅异质结太阳能电池的制作方法用于制作上述硅异质结太阳能电池。
搜索关键词：	硅异质结太阳能电池及其制作方法
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摘要：本发明提供一种双面异质结太阳能电池及其制备方法，所述双面异质结太阳能电池包括硅基，依次位于所述硅基主受光侧的本征非晶硅层、掺杂非晶硅层，所述本征非晶硅层包括本征过渡层、位于所述本征过渡层背离所述硅基的一侧的本征钝化层，且所述本征非晶硅层的厚度介于3.5nm～5.5nm之间。本发明中含氢的所述本征钝化层比本征过渡层的钝化效果好，两层配合可以在保证钝化效果的前提下减薄整个所述本征非晶硅层的厚度，有效减少了该层的光吸收，到达硅基的光增多，提升了电池的短路电流。

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摘要：本发明提供了一种高效异质结太阳能电池片及其制备方法，其中，一种高效异质结太阳能电池片包括：n型晶硅衬底；所述n型晶体硅衬底的下表面依次设置第一本征非晶硅薄膜层、第一掺杂层、第一TCO薄膜叠层；所述n型晶体硅衬底的上表面依次设置第二本征非晶硅薄膜层、第二掺杂层、第二TCO薄膜叠层。在非晶硅薄膜叠层上采用反应式等离子体沉积制备一个分层，该分层制备过程中无损伤非晶硅薄膜叠层，此外该分层作为保护层可以避免磁控溅射对非晶硅薄膜叠层的溅射损伤，可以维持非晶硅薄膜叠层的钝化性能，可进一步提升电池转换效率。

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摘要：本发明涉及一种高效异质结太阳能电池的制作方法，它包括在经钝化处理的半导体基板的第一钝化层上形成具有N型掺杂或P型掺杂的第一半导体膜层，其具体步骤如下，步骤A，在经钝化处理的半导体基板的第一钝化层上形成第一微晶硅叠层；步骤B，在第一微晶硅叠层上形成第一非晶硅层。本发明的目的在于提供一种高效异质结太阳能电池及其制造方法，通过采用微晶硅叠层与非晶硅层复合的N型半导体膜层或/和P型半导体膜层能够同时提升电池短路电流、开路电压以及填充因子的影响，电池效率得以明显提升。

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申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制造方法，涉及太阳能电池技术领域，以将背接触异质结太阳能电池中P型区域与第一电极之间的接触势垒、以及N型区域与第二电极之间的接触势垒同时降低至较小的目标范围，提高其光电转换效率。背接触异质结太阳能电池包括：硅异质结基底、第一透明导电层和第二透明导电层。硅异质结基底具有相对的第一面和第二面。沿着平行于第二面的方向，第二面具有交替间隔设置的P型区域和N型区域。第一透明导电层至少形成在P型区域上。第二透明导电层至少形成在N型区域上。第二透明导电层位于N型区域上的部分与第一透明导电层位于P型区域上的部分相互绝缘。第二透明导电层的功函数小于第一透明导电层的功函数。

晶硅异质结太阳电池及其制备方法-202310070859.9
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申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提出一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法，该晶硅异质结太阳电池包括硅片；在所述硅片的正面依次层叠的本征非晶硅层、磷掺杂的n型非晶硅层、第一透明氧化层，所述第一透明氧化层包括依次层叠于所述磷掺杂的n型非晶硅层上的第一ITO子层、第二ITO子层以及第三ITO子层；在所述硅片的背面依次层叠的所述本征非晶硅层、硼掺杂的p型非晶硅层、第二透明氧化层、过渡层、金属导电层、抗氧化层以及焊接层，所述第二透明氧化层包括第四ITO子层、第五AZO子层以及第六ITO子层。本发明提出的硅基异质结太阳电池，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。

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发明人：李宏伟;孟子博;霍亭亭;杨广涛;张学玲;陈达明 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的太阳能电池包括具有第一极性或第二极性的硅基底，硅基底包括相对的第一侧和第二侧；设于硅基底第一侧的第一钝化结构，第一钝化结构中最远离硅基底的部分具有第一极性；第一钝化结构所在位置为第一电极区；设于第一钝化结构远离硅基底一侧的第二钝化结构，第二钝化结构中最远离硅基底的部分具有第二极性；第二钝化结构所在位置为第二电极区，第二电极区与第一电极区无重叠，第二钝化结构的工艺温度低于第一钝化结构的工艺温度；设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第一电极区的第一电极，设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极。

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申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本申请提供一种异质结太阳能电池和制备方法。该异质结太阳能电池包括：n型或p型硅片，n型或p型硅片经n型或p型掺杂处理，且具有相对的正面和背面；第一钝化层和第二钝化层，依次设置于n型或p型硅片的正面；第三钝化层和第四钝化层，依次设置于n型或p型硅片的背面，微晶或纳米晶碳氧化硅层，设置于第四钝化层远离n型或p型硅片的一面，其中，微晶或纳米晶碳氧化硅层经n型或p型掺杂处理，以与n型或p型硅片组成PN结，碳氧化硅层中碳元素的原子百分比大于氧元素的原子百分比。本申请的异质结太阳能电池提高了太阳能电池的性能，碳元素和氧元素对碳氧化硅层中的氢元素具有固定作用，有利于减少氢元素的流失。

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摘要：本发明公开一种背接触式硅异质结太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池制造领域，用于解决太阳能电池制备工艺复杂、成本高、不容易量产的问题。该制备方法在硅衬底的背光侧需要使用掩膜的各工序中分别采用成本较低的第一聚合物胶带、第二聚合物胶带和第三聚合物胶带作为掩膜直接粘贴覆盖使用，通过丝网印刷和电镀制备金属电极，且聚合物胶带的图案化处理采用激光完成图案化处理，不需要采用如光刻胶一样的湿法刻蚀，因此，不需要使用刻蚀液以及后续繁琐的清洗刻蚀液的操作，相较于现有的光刻结合湿法刻蚀的方式，简化了工艺，降低了成本，有利于实现量产。本发明提供的背接触式硅异质结太阳能电池采用本发明中的制备方法制备得到。

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摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的太阳能电池包括具有第一极性或第二极性的硅基底，硅基底包括相对的第一侧和第二侧；设于硅基底第一侧的第一钝化结构，第一钝化结构中最远离硅基底的部分具有第一极性；第一钝化结构所在位置为第一电极区；设于第一钝化结构远离硅基底一侧且至少位于第二电极区的第二钝化结构，第二钝化结构中最远离硅基底的部分具有第二极性；第二钝化结构的工艺温度低于第一钝化结构的工艺温度；设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第一电极区的第一电极，设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极。

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发明人：林朝晖;林楷睿 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本实用新型属于太阳能电池技术领域，涉及一种向光面隧穿型异质结太阳能电池，它包括由向光面至背光面依次叠设的第一电极、第一导电膜层、N型微晶硅叠层、N型多晶硅层、隧穿氧化层、半导体基板、本征膜层、P型半导体膜层、第二导电膜层以及第二电极；所述N型微晶硅叠层包含一层以上的含氧型微晶层和一层以上的非含氧型微晶层a。本实用新型的目的在于提供一种向光面隧穿型异质结太阳能电池，向光面采用N型微晶硅叠层叠加隧穿氧化层和N型多晶硅层组成的TOPCON技术具有钝化效果好，导电性佳的特点，既保证了电池的开路电压、填充因子，又弥补了正面多晶吸光的不足。

一种硅基异质结太阳能电池片结构、制备方法及制备系统-202211314002.9
发明人：左国军;奚华;舒欣 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明属于硅基异质结太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅基异质结太阳能电池片结构、制备方法及制备系统，本硅基异质结太阳能电池片结构包括：硅衬底，硅衬底的正面依次叠加设置有正面本征非晶硅薄膜层、正面N型非晶硅掺杂薄膜层、正面TCO薄膜层和正面电极，硅衬底的背面依次叠加设置有背面本征非晶硅薄膜层、背面P型掺杂薄膜层、背面TCO薄膜层和背面电极；正面N型非晶硅掺杂薄膜层通过第二镀膜设备沉积，且通入镀膜设备的氢气的流量与硅烷的流量比值为10‑200；本发明能够改善正面N型非晶硅掺杂薄膜层的电学性能和光学性能，更多的光能够射到硅衬底，增加短路电流，使太阳能电池的短路电流提高约40mA，填充因子提高约0.2％，电池转化效率提高了约0.1％。

异质结太阳能电池片及其制备方法-202211309186.X
发明人：左国军;舒欣 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池片及其制备方法，其中，异质结太阳能电池片包括：单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底正面和背面分别制备本征非晶硅薄膜层；N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层，设置在所述单晶硅衬底正面的本征非晶硅薄膜层顶面；P型微晶硅掺杂层，位于所述单晶硅衬底背面的本征非晶硅薄膜层底面；透光导电层，分别设置在所述N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层的顶面和所述P型微晶硅掺杂层的底面；电极，设置在所述透光导电层的表面上。其中，P型微晶硅掺杂层为至少由硅烷掺杂三甲基硼的混合气体沉积而成的层状结构，减少硼原子对Si‑H键的破坏，提高微晶硅的晶化率，从而提高了电池转化效率。

一种高效选择性掺杂电池及其制备方法-202211087529.2
发明人：张三洋;陶俊;邵玉林 -专利权人：无锡琨圣智能装备股份有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明公开了一种高效选择性掺杂电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，所述选择性掺杂电池由下至上分别包括n型硅片、掺硼非晶硅层、AL2O3层和SiNx钝化减反射层，金属电极通过选择性掺杂发射极与n型硅片相导通。本发明通过PECVD沉积技术得到掺硼非晶硅/多晶硅薄膜层，再进行退火激活的方式可以得到均匀的掺硼的低表面浓度浅结，有更好的蓝光响应和更低的表面复合，可进一步提升开压和短流；通过PECVD沉积掺硼非晶硅表面无BSG层，激光照射非晶/多晶掺硼薄层，实现选择性硼重掺杂，从而形成发射极SE结构，硼重掺杂区域可以和银浆形成更低接触电阻更好欧姆接触的电极接触。

使用过渡金属氧化物的高效空穴传输层的方法-202180032494.X
发明人：保罗·亚历杭德罗·普罗喀尔·莫亚;奥林多·伊莎贝拉;米罗斯拉夫·泽曼;卢安娜·玛擦瑞拉 -专利权人：代尔夫特理工大学
申请日： 2021-05-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明属于制造具有透明触点和改进的空穴传输层的太阳能电池或光伏(PV)电池的方法领域。所述太阳能电池包括至少一个异质结并且典型地包括两个异质结。本发明提供具有良好操作特征，例如在转换效率、填充因子和电流增益方面具有良好操作特征的太阳能电池。

一种钙钛矿-硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法-202010797706.0
发明人：徐琛 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明公开一种钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池及其制作方法，涉及叠层太阳能电池技术领域，以使硅异质结底电池pn结与介孔型无机空穴传输层共存。该钙钛矿‑硅异质结叠层太阳能电池的制作方法包括：提供硅异质结底电池；在硅异质结底电池上形成隧穿复合层；加热硅异质结底电池，同时利用喷涂工艺将无机空穴传输纳米颗粒悬浮液喷涂在隧穿复合层上，溶剂挥发，形成介孔型无机空穴传输层；在介孔型无机空穴传输层上形成钙钛矿光吸收层、电子传输层和透明导电层。本发明提供的制作方法用于制作叠层太阳能电池。

碳化硅电池-202011159811.8
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/0747
摘要：本发明提供一种碳化硅电池，涉及太阳能光伏技术领域。碳化硅电池包括：第一传输层、第一传输层向光面上的碳化硅吸收层；所述第一传输层为硅衬底，所述碳化硅吸收层包含具有中间带的碳化硅材料；所述第一传输层传输碳化硅吸收层产生的电子或空穴型载流子。本申请中，第一传输层为硅衬底，包含具有中间带的碳化硅材料位于硅衬底的向光面，也就是在低成本的硅衬底的向光面上制作碳化硅吸收层，相对于现有技术中生长碳化硅晶棒再切割加工而言，简化了碳化硅电池的生产工艺，具备较高的生产效率。同时，硅衬底作为第一传输层传输碳化硅吸收层产生的电子或空穴型载流子，无需去除，工艺简单。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]硅异质结太阳能电池及其制作方法在审

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