[发明专利]半导体存储器装置

摘要

公开了半导体存储器装置。半导体存储器装置可以包括：多个层，沿竖直方向顺序地堆叠在基底上，所述多个层中的每个包括沿第一方向延伸的位线以及从位线沿与第一方向交叉的第二方向延伸的半导体图案；栅电极，延伸穿过所述多个层，并且包括延伸穿过半导体图案的竖直部和从所述竖直部延伸且面对半导体图案中的一个半导体图案的第一表面的第一水平部；以及数据存储元件，电连接到半导体图案中的所述一个半导体图案。数据存储元件包括：第一电极，电连接到半导体图案中的所述一个半导体图案；第二电极，位于第一电极上；以及介电层，位于第一电极与第二电极之间。