[发明专利]键合存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010655610.0 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111739792B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 杨盛玮;夏仲仪;韩坤;李康;王晓光;朱宏斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/768;H01L25/18;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;刘柳 |
| 地址： | 430223 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了由键合半导体器件形成的三维(3D)存储器件以及用于形成三维(3D)存储器件的方法的实施例。在示例中，一种用于形成键合半导体器件的方法包括以下操作。首先，形成第一晶片和第二晶片。第一晶片可以包括衬底之上的功能层。单晶硅可以不是衬底必需的，并且衬底可以不包括单晶硅。可以反转第一晶片以键合到第二晶片上，以形成键合半导体器件，因而衬底在功能层的顶部上。可以去除衬底的至少一部分以形成键合半导体器件的顶表面。此外，可以在顶表面之上形成键合焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
