[发明专利]半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法

摘要

半导体存储器装置以及该半导体存储器装置的制造方法。一种制造半导体存储器装置的方法包括以下步骤：形成交替地层叠在源极结构上的多个牺牲图案和多个绝缘图案；形成穿透牺牲图案和绝缘图案的沟道结构；形成穿透牺牲图案和绝缘图案的第一沟槽和第二沟槽；通过第一沟槽和第二沟槽利用多个导电图案替换牺牲图案；以及形成穿透一些导电图案和一些绝缘图案并位于第一沟槽和第二沟槽之间的栅极隔离层。绝缘图案包括第二绝缘图案以及在第二绝缘图案与源极结构之间的第一绝缘图案。栅极隔离层的最下部位于第二绝缘图案中。第二绝缘图案具有比第一绝缘图案厚的厚度。