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[发明专利]氮化镓晶体、氮化镓衬底及氮化镓衬底的制造方法-CN202280017084.2在审
发明人：三川丰;池田宏隆;包全喜;栗本浩平;岛纮平;小岛一信;石黒徹;秩父重英 -专利权人：三菱化学株式会社;株式会社日本制钢所;国立大学法人东北大学
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命长的GaN晶体，以及提供一种影响该发光寿命的特定的晶体缺陷少的高品质的GaN晶体和GaN衬底。一种氮化镓晶体，其由时间分辨光致发光测定得到的发光寿命为5ps以上且200ps以下，并满足下述必要条件(i)和必要条件(ii)中的至少一个：(i)004衍射X射线摇摆曲线的FWHM在晶体的至少一处为50arcsec以下；(ii)位错密度为5×106cm‑2以下。
氮化晶体衬底制造方法

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件-CN201880089199.6有效
发明人：平野光;长泽阳祐;秩父重英;小岛一信 -专利权人：日机装株式会社
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：在将从活性层朝向n型氮化物半导体层侧出射的紫外线取出至元件外部的氮化物半导体发光元件中，实现电光转换效率的提高。在构成氮化物半导体紫外线发光元件(1)的n型AlGaN系半导体层(21)中，作为所述n型层(21)的一部分的、局部Ga组成比高的薄膜状的多个富Ga层(21b)在与n型层(21)的上表面正交的方向即上下方向上分离地存在，与上下方向平行的第1平面上的多个富Ga层(21b)的至少一部分的延伸方向相对于n型层(21)的上表面与第1平面的交线倾斜，在从n型层(21)的上表面向下方侧100nm以内的厚度的上层区域内，在与n型层(21)的上表面平行的第2平面上，多个富Ga层(21b)呈条纹状存在，富Ga层(21b)的AlN摩尔分数比构成发光元件(1)的活性层(22)内的阱层(22b)的AlN摩尔分数大。
氮化物半导体紫外线发光元件

[发明专利]晶体制造用压力容器-CN201880023029.8有效
发明人：栗本浩平;包全喜;植田睦男;笹川雄二;森元雅也;石黑彻;秩父重英 -专利权人：日本制钢所ME株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2018-04-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B7/10 文献下载
摘要：本发明涉及具有优异耐腐蚀性的晶体制造用压力容器。该压力容器在容器内使用晶种、矿化剂、原料、和作为溶剂的处于超临界状态和/或亚临界状态的氨而制造晶体。所述压力容器至少在其露出的内表面的整个表面上存在Ag。可以通过例如Ag加衬、Ag焊接和Ag镀敷中的一种或两种以上的组合而配置Ag。矿化剂优选为不含氟以外的卤素原子的氟矿化剂。
晶体制造压力容器

[发明专利]二次电池-CN201780052280.2有效
发明人：殿川孝司;小坂裕;津国和之;高野光;秩父重英;小岛一信 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01M10/36 文献下载
摘要：二次电池(30)具备：第1导电型的第1氧化物半导体层(14)；第1充电层(16)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上，且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；第2充电层(18)，其配置于第1充电层(16)上；第2导电型的第3氧化物半导体层(24)，其配置于第2充电层(18)上；和，氢氧化物层(22)，其配置于第1充电层(16)与第3氧化物半导体层(24)之间，且具有构成第3氧化物半导体层(24)的金属的氢氧化物。提供能量密度提高、能增大电池特性(蓄电容量)、且可靠性高的二次电池。
二次电池

[发明专利]氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法-CN201780047215.0有效
发明人：平野光;长泽阳祐;秩父重英;小岛一信 -专利权人：创光科学株式会社
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种峰值发光波长为285nm以下的氮化物半导体紫外线发光元件的制造方法，具备：第1步骤，在包含蓝宝石基板的基底部的上表面，形成n型的AlXGa1‑XN(1≥X≥0.5)系半导体所构成的n型半导体层；第2步骤，在n型半导体层的上方，形成包含AlYGa1‑YN(X＞Y＞0)系半导体所构成的发光层、且整体由AlGaN系半导体构成的活性层；及第3步骤，在活性层的上方，形成p型的AlZGa1‑ZN(1≥Z＞Y)系半导体所构成的p型半导体层。在此制造方法中，第2步骤的生长温度比1200℃更高且为第1步骤的生长温度以上。
氮化物半导体紫外线发光元件及其制造方法

[发明专利]层合体及其制造方法以及使用其的功能元件-CN201180011941.X有效
发明人： 秩父重英;羽豆耕治;中山德行;田中明和 -专利权人：住友金属矿山株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：通过在基体上形成最佳的缓冲层，提供包含透明导电膜层的层合体，该透明导电膜层包含含有结晶性更优异的锐钛矿相、具有高折射率和低电阻、以氧化钛为主成分并含有铌等添加元素的氧化物薄膜，提供具备该层合体的半导体发光元件或太阳能电池等功能元件。该层合体的特征在于在基体上形成缓冲层，该缓冲层包含选自氧化镓薄膜、包含镓、铟和氧的氧化物薄膜以及包含镓、铟、铝和氧的氧化物薄膜中的至少一种以上薄膜，在该缓冲层上形成有透明导电膜层，该透明导电膜层包含以氧化钛为主成分、含有选自铌、钽、钼、砷、锑和钨的至少一种以上元素的氧化物薄膜。
合体及其制造方法以及使用功能元件