[发明专利]一种金刚石基氮化镓复合晶片及其键合制备方法在审
| 申请号： | 202010586692.8 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111900200A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 胡文波;白海洋;王康;吴胜利;王宏兴;曹梦逸;谢荣华;张宗民;阮坤 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/67 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 房鑫 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种金刚石基氮化镓复合晶片及其键合制备方法，该晶片具有氮化镓/成核层/碳化硅/金属中间层/金刚石衬底、氮化镓/金属中间层/金刚石衬底、氮化镓/陶瓷膜层/金属中间层/金刚石衬底等结构，主要制备步骤为：减薄氮化镓的碳化硅衬底，或者将碳化硅衬底完全剥离并减薄氮化镓层；对碳化硅衬底或氮化镓层及金刚石的待键合表面进行抛光和氩等离子体处理；在碳化硅衬底待键合表面沉积金属缓冲层及金膜，或者在氮化镓层待键合表面沉积金属缓冲层和金膜或沉积陶瓷膜层、金属缓冲层和金膜，在金刚石待键合表面沉积金属缓冲层和金膜；先进行氮化镓与金刚石的预键合，再进行二次键合；对金刚石基氮化镓复合晶片进行退火处理。本发明能提高键合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 氮化 复合 晶片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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