[发明专利]一种半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 202010513449.3 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111564411B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 侯立东 | 申请（专利权）人： | 深圳铨力半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/00 |
| 代理公司： | 安徽谷知知识产权代理事务所(普通合伙) 34286 | 代理人： | 李航 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其形成方法，该方法包括以下步骤：在半导体基底上设置有芯片区、围绕所述芯片区的保护环区域以及围绕所述保护环区域的切割线区域；在所述半导体基底的上表面形成第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽；在所述第一沟槽中填充介电材料以形成第一介电层；在所述第二沟槽中形成第一纳米线层；在所述第三沟槽中形成第二纳米线层，接着在所述第一介电层上沉积第二介电层，在所述第一纳米线层上形成第一金属/介电叠层，以形成第一保护环结构，并在所述第二纳米线层上沉积第二金属/介电叠层，以形成第二保护环结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳铨力半导体有限公司，未经深圳铨力半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010513449.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
