[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202010501050.3 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111613530A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 卢俊玮;董宗谕;贾涛 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括在前端器件层上形成目标刻蚀层，在目标刻蚀层上形成由非定形碳层、抗反射介电层及光刻胶层组成的硬掩模叠层，然后图案化硬掩模叠层以定义沟槽图案，以刻蚀目标刻蚀层形成沟槽，使沟槽与所述前端器件层连接。本发明采用非定形碳层、抗反射介电层及光刻胶层组成的硬掩模叠层对所述目标刻蚀层进行刻蚀，利用多层材料间刻蚀选择比的连续向下转移，消除目标刻蚀层刻蚀过程中对光刻胶厚度的依赖，进而避免光刻胶因厚度造成的坍塌现象，提高工艺的可靠性和成品率。另外，本发明中半导体结构的制造过程中，仅需要使用氧化物刻蚀设备，而不需要金属刻蚀设备，缩短了生产周期，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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