[发明专利]III-N器件在审
| 申请号： | 202010439803.2 | 申请日： | 2015-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111816703A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 伍墨;拉柯许·K·拉尔;伊兰·本-雅各布;乌梅什·米什拉;卡尔·约瑟夫·诺伊费尔德 | 申请（专利权）人： | 创世舫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 穆森;戚传江 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及III‑N器件。一种制造III‑N器件的方法包括在基底上形成III‑N沟道层、在所述沟道层上形成III‑N势垒层、在所述势垒层上形成绝缘层以及在所述器件的第一部分中形成沟槽。形成所述沟槽的步骤包括：去除所述器件的所述第一部分中的所述绝缘层和所述势垒层的一部分，使得所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的剩余部分距所述沟道层的顶表面具有厚度，所述厚度在预定厚度范围内；在高温下在包括氧的气体环境中对所述III‑N器件进行退火以使所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的所述剩余部分氧化；以及去除所述器件的所述第一部分中的所述势垒层的所氧化的剩余部分。 | ||
| 搜索关键词： | iii 器件 | ||
【主权项】：
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