[发明专利]一种等离子体刻蚀测量有机膜深度方向上组分分布的方法在审
| 申请号： | 202010414101.9 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111707635A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 鲁广昊;俞金德;卜腊菊;朱远惟;行毅凡 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01N21/3563 | 分类号： | G01N21/3563 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体刻蚀测量有机膜深度方向上组分分布的方法，包括步骤：1)在光滑平整的氟化钙衬底上制备有机膜，且有机膜厚度至少大于20纳米；2)利用傅里叶红外光谱仪测试有机膜的红外振动光谱；3)利用等离子体逐层刻蚀有机膜，等离子体放电功率范围20‑200瓦，等离子体气压为1‑30帕斯卡；刻蚀发生在有机膜表面并逐步减小薄膜的厚度，其后按刻蚀先后顺序原位检测和记录有机膜的红外振动光谱图，直到有机膜被完全刻蚀掉；4)利用测得的不同厚度的共混有机膜的红外光谱图，使得相邻红外光谱图的特征峰吸光度相减，依次计算和得到各个亚层中每个组分的特征官能团或化学键的吸光度的大小，以此来作为组分分布计算的依据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 刻蚀 测量 有机 深度 向上 组分 分布 方法 | ||
【主权项】：
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