[发明专利]半导体装置及其制作方法在审
| 申请号： | 202010411079.2 | 申请日： | 2020-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN112687791A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 金海光;江法伸;林杏莲;吴启明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法。本发明实施例提供一种半导体装置，其包含扩散势垒结构、底部电极、所述底部电极上方的顶部电极、切换层及罩盖层。所述底部电极在所述扩散势垒结构上方。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述罩盖层在所述顶部电极与所述切换层之间。所述扩散势垒结构的热导率大于近似20W/mK。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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