[发明专利]一种三维存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种三维存储器的制造方法，在本发明所提供的三维存储器的制造方法中，通过部分区域含有掺杂剂的牺牲材料层，提高了同时刻蚀的刻蚀选择性，只需要一次刻蚀就能同时形成沟道孔和栅线分割槽，制造工序简单、成本低，且完全避免了沟道孔和栅线分割槽单独分批刻蚀时的对位精度难控制问题；一次刻蚀后进行其他结构层的沉积，刻蚀后材料的应力能得到充分释放，提高了结构的稳定性；此外，若干栅线分割槽呈条状结构延伸，均衡分担了刻蚀应力，进一步提高了结构的稳定性。