[发明专利]无机反置钙钛矿太阳能电池、其制备方法和应用有效

申请号：	202010283071.2	申请日：	2020-04-10
公开（公告）号：	CN111430484B	公开（公告）日：	2021-06-15
发明（设计）人：	孙建侠;陈加坡;瞿光胤;范利生;田清勇;范斌	申请（专利权）人：	昆山协鑫光电材料有限公司
主分类号：	H01L31/032	分类号：	H01L31/032;H01L31/18
代理公司：	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256	代理人：	赵世发
地址：	215300 江苏省***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本发明公开了一种无机反置钙钛矿太阳能电池、其制备方法和应用。所述全无机反置钙钛矿太阳能电池的制备方法包括制作空穴传输层、钙钛矿光敏层、电子传输层的步骤，其中所述电子传输层的制备方法包括：将包含氧化铈前驱体、锂盐、表面活性剂的氧化铈前驱体溶液涂覆在钙钛矿光敏层上并低温退火处理。本发明选择采用低温氧化铈作为电子传输层材料，不仅满足了能够采用低温处理工艺，有效的防止了高温退火对钙钛矿光敏层的破坏，而且可以采用对钙钛矿光敏层没有破坏的溶剂来分散，从而成功的制备了全无机反置钙钛矿太阳能电池。
搜索关键词：	无机反置钙钛矿太阳能电池制备方法应用
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摘要：本申请属于光电材料技术领域，尤其涉及一种电子传输层、电子传输材料的制备方法和应用。其中，电子传输材料的制备方法，包括步骤：制备电子传输材料的前驱体溶液；将金属卤化物与所述前驱体溶液进行混合处理，退火处理，得到金属卤化物杂化的电子传输材料；其中，所述金属卤化物中金属元素选自铅、钙、铁、钴、镍、铜中的至少一种。本申请电子传输材料的制备方法，工艺简单、组分含量可控，通过调整金属卤化物的掺杂量可实现对电子传输层能带结构、表面粗糙度、亲水性的灵活调控，使电子传输层满足不同体系钙钛矿器件的应用需求，减少器件非辐射复合，降低能量损失，提高器件的光电性能。

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摘要：本发明属于新材料技术领域，提供一种阳离子梯度掺杂的铜锌锡硫硒薄膜及其制备和应用，该阳离子梯度掺杂的铜锌锡硫硒薄膜是由前驱体薄膜经硒化处理制得，所述前驱体薄膜的厚度方向插入ZnO层且位于所述ZnO层两侧的所述阳离子的掺杂量不同，所述硒化处理的温度为500℃以上。本发明的方法可以得到质量高且渐变能带结构明显的铜锌锡硫硒薄膜，该铜锌锡硫硒薄膜适合用在太阳能电池中。

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摘要：本公开提出了一种日盲紫外偏振光探测器，包括：衬底100、感光区111和两端电极120。其中，衬底100为绝缘衬底；感光区111为表面刻蚀有多条平行的纳米线112的氧化镓(001)晶面或(100)晶面，以通过氧化镓的各向异性和纳米线的尺寸限制效应提高日盲紫外偏振光探测器的各向异性光电流；两端电极120通过肖特基接触水平连接于感光区两端，以降低日盲紫外偏振光探测器的暗电流。

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摘要：本发明提供了一种半导体CsPbX3薄膜材料及其制备方法、应用、太阳能电池，涉及半导体薄膜材料的技术领域，该半导体CsPbX3薄膜材料包括单晶硅衬底和生长在单晶硅衬底上的CsPbX3外延薄膜，其中，X包括卤素。本发明解决了现有技术中纯无机钙钛矿（CsPbX3）薄膜主要在绝缘衬底（例如SrTiO3）上实现外延生长，从而限制了无机钙钛矿薄膜在半导体器件领域内广泛应用的技术问题，达到了在非绝缘的单晶硅衬底上生长无机钙钛矿外延薄膜，使无机钙钛矿外延薄膜在半导体器件领域中具有更广泛应用的技术效果。

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摘要：本发明的一种势垒阻挡型的光电探测器及其制备方法，从下向上依次是衬底、二维半导体层以及金属电极对；所述衬底的材料为锑化铟；所述二维半导体层的材料为碲化钼和石墨烯；所述金属电极对包括第一金属电极和第二金属电极；所述第一金属电极和所述第二金属电极之间的光敏区形成的沟道结构暴露出部分所述衬底和二维半导体层；其中，通过对所述衬底层和二维半导体层的能带匹配设计形成NBN势垒结构。本发明的一种势垒阻挡型的光电探测器及其制备方法，降低了多数载流子电子的暗电流，使得势垒光电探测器的工作温度大大提高，从而实现了具有高工作温度的光电探测器。

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发明人：杨铁锋;谢汉荣;谢满炎;刘俸利;阳明旭;关贺元;卢惠辉 -专利权人：暨南大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了基于Bi2O2Se的多功能器件及其制备方法，该器件包括：衬底、层状二维材料Bi2O2Se、第一金电极层和第二金电极层，所述衬底上方集成有第一金电极层，所述第一金电极层上表面设置有层状二维材料Bi2O2Se，所述层状二维材料Bi2O2Se的上表面设置有第二金电极层。本发明通过研究对比新型半导体层状二维材料Bi2O2Se的上水平、下水平和垂直三种不同沟道的电流输运特性，构建同时具有光电探测功能和突触功能的多功能器件。本发明作为基于Bi2O2Se的多功能器件及其制备方法，可广泛应用于多功能器件技术领域。

铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用-202210100485.6
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用。该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底，并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结具有金属‑绝缘体转变。该异质结中，外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整，外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐，钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到，其具有优异的光伏性能，且在光照条件下电阻受磁场影响显著，可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在铁电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。

一种基于钙钛矿半导体的中子探测器及其制备方法-202210097105.8
发明人：胡芹;郝翌然;谭鹏举;孙沐霖 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本公开提供了一种基于钙钛矿半导体的中子探测器，包括：自下而上的第一电极、钙钛矿层及第二电极；其中，钙钛矿层由ABX3或A2CDX6构成，其用于中子探测；其中，A包括Li离子；和/或X包括BF4或BCl4离子。本公开还提供了一种基于钙钛矿半导体的中子探测器的制备方法。

光电传感器和基板-202180003781.8
发明人：顾鹏飞;黄杰;李菲菲;卢昱行;黄睿;刘凤娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/032
摘要：一种光电传感器和基板，该光电传感器包括光电转换层(103)、第一电极(101)和第二电极(102)，第一电极(101)设置在光电转换层(103)的一侧，第二电极(102)设置在光电转换层(103)的一侧，且与第一电极(101)间隔；其中，第一电极(101)和第二电极(102)配置为驱动光电转换层(103)，在垂直于光电转换层(103)的表面的方向上，第一电极(101)和第二电极(102)分别与光电转换层(103)重叠，光电转换层(103)包括氧化物半导体材料。在上述光电传感器中，光电转换层采用氧化物半导体材料，具有较高的信号选择比；另外，光电传感器的制作过程与具有基于氧化物半导体作为有源层的TFT的制作过程相兼容，因此可以简化光电传感器用于基板时的制备工艺。

氧化镓基日盲紫外光强度探测器及其制备方法-202111435516.5
发明人：陈海峰 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了一种氧化镓基日盲紫外光强度探测器及其制备方法，所述探测器包括金属层a，金属层a上依次设有输运层、电荷传导层和SiO2层，电荷传导层中间设有端部为插指状的凸起，该凸起穿过SiO2层中间，SiO2层顶部设有横截面为回字形的金属层b，金属层b中间填充有光生电子积累区，电荷传导层的凸起插入光生电子积累区内；本发明的探测效率和灵敏度均良好，能够准确探测日盲紫外光的强度。

一种基于磷硒化锰(MnPSe3)场效应晶体管结构的光电探测器-202010851284.0
发明人：邢杰;韩旭;徐光远;荣东珂;郝会颖;刘昊 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/032
摘要：本发明公开了一种基于二维半导体材料MnPSe3场效应晶体管结构的光电探测器，其基本元素包括：Si/SiO2衬底、MnPSe3沟道、源（s）/漏（d）电极和栅（g）电极。其特征在于：以层状MnPSe3材料作为主要光敏层的场效应晶体管光电探测器。将机械剥离的少层MnPSe3转移到Si/SiO2衬底上，应用微纳加工技术和镀膜技术制备晶体管的源、漏和栅电极。测量晶体管光、暗态下的输出（Ids‑Vds）和转移特性曲线（Ids‑Vgs），获得暗电流、光/暗电流比和光电灵敏度。在此基础上，提出多种晶体管衍生结构，包括金属颗粒修饰，量子点敏化，异质结结构和悬空结构，以及以离子液体、去离子水、聚甲基丙烯酸甲酯、氮化硼、高介电材料或铁电材料作为介电层的MnPSe3场效应晶体管。通过结构设计可以进一步改善MnPSe3场效应晶体管对光的吸收能力以及对光生载流子的分离能力，降低噪声和功耗，提高器件的光电灵敏度，增强光电响应的可调控性。

一种基于铋氧硫微米花阵列或铋氧硫纳米花的红外光电探测器及其制备方法-202210658377.0
发明人：高世勇;容萍;王金忠;任帅;耿秋丹;付子纯 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/032
摘要：一种基于铋氧硫微米花阵列或铋氧硫纳米花的红外光电探测器及其制备方法，所述Bi2O2S具有由二维纳米片自组装而成的三维花状分层结构，所述Bi2O2S微米花阵列是通过大面积生长在导电衬底上制得，所述光电探测器是以制备的Bi2O2S微米花阵列和Bi2O2S纳米花作为探测材料，分别设计了自供能红外探测器和柔性红外探测器。本发明所制备的Bi2O2S光电探测器能够实现对红外光的快速探测，并且展示出了优异的循环稳定性。本发明主要利用简便、易操作的水热法合成了具有独特分层结构的Bi2O2S微米花阵列和Bi2O2S纳米花，并首次实现了Bi2O2S微米花阵列或Bi2O2S纳米花在光电探测器上的应用，为光电领域提供了一种新的可选择的红外光电探测材料。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]无机反置钙钛矿太阳能电池、其制备方法和应用有效

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