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[发明专利]一种X射线闪烁体材料及其制备方法和应用-CN202310538012.9在审
发明人： 韩修训;卿小斐 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明提供一种X射线闪烁体材料及其制备方法和应用，所述X射线闪烁体材料的化学式为Cs2SnCl6:Te4+。本发明的X射线闪烁体材料可制成X射线闪烁体薄膜等用于X射线成像中。本发明的Cs2SnCl6:Te4+闪烁体材料以及采用其制备的闪烁体薄膜其具有良好的光学性能、优异的稳定性以及环境友好等优点，且其无毒、制备方法简单。作为新型的闪烁体材料，在X射线成像、X射线探测领域具有巨大的潜力。
一种射线闪烁材料及其制备方法应用

[发明专利]一种亚微米级稀土硅酸盐荧光粉及其制备方法-CN202310536110.9在审
发明人： 韩修训;杜天韵 -专利权人：江西理工大学;国瑞科创稀土功能材料（赣州）有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种亚微米级稀土硅酸盐荧光粉及其制备方法，所述亚微米级稀土硅酸盐荧光粉的制备方法包括：以二氧化硅包覆MReF4纳米晶形成核壳结构的MReF4@SiO2前驱体，将所述前驱体进行烧结后采用碱液腐蚀二氧化硅，得到所述亚微米级稀土硅酸盐荧光粉；其中，M为碱金属，Re为镧系稀土元素。本发明通过将核壳结构的MReF4@SiO2前驱体进行烧结后腐蚀，可以实现超小尺寸稀土硅酸盐荧光粉的制备，产物粒径可以通过烧结温度和烧结时间精细调控。与现有技术相比，本发明的制备方法具有易于批量制备、粒径分布范围窄、尺寸易于调节等优点。
一种微米稀土硅酸盐荧光粉及其制备方法

[发明专利]一种阳离子梯度掺杂的铜锌锡硫硒薄膜及其制备和应用-CN202310353529.0在审
发明人： 韩修训;谈晓辉;胡嘉铭 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于新材料技术领域，提供一种阳离子梯度掺杂的铜锌锡硫硒薄膜及其制备和应用，该阳离子梯度掺杂的铜锌锡硫硒薄膜是由前驱体薄膜经硒化处理制得，所述前驱体薄膜的厚度方向插入ZnO层且位于所述ZnO层两侧的所述阳离子的掺杂量不同，所述硒化处理的温度为500℃以上。本发明的方法可以得到质量高且渐变能带结构明显的铜锌锡硫硒薄膜，该铜锌锡硫硒薄膜适合用在太阳能电池中。
一种阳离子梯度掺杂铜锌锡硫硒薄膜及其制备应用

[发明专利]钙钛矿量子点/Eu-MOF复合发光材料的制备方法-CN202010576406.X有效
发明人： 韩修训;赖文伟;李文辉;李博 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿量子点/Eu‑MOF复合发光材料的制备方法，包括步骤有：S1.将六水硝酸铕和联苯四甲酸加入DMF和水的混合溶液中加热并冷却，除去残留的DMF，真空干燥得到Eu‑MOF晶体；S2.将干燥后的Eu‑MOF晶体与PbBr2的DMF溶液混合得到PbBr2@Eu‑MOF的前驱体溶液；S3.加入CsBr，搅拌至澄清后加入油酸油胺；然后转移至甲苯中初步制得钙钛矿量子点/Eu‑MOF复合发光材料；S4.上述材料离心分散在正己烷溶液中，搅拌并滤出沉淀等步骤，制得高纯度的钙钛矿量子点/Eu‑MOF复合发光材料,解决了钙钛矿量子点稳定性差的问题，及目前白光LED存在的红光区缺失的问题。
钙钛矿量子 eu mof 复合发光材料制备方法

[发明专利]一种稀土基钙钛矿CsTmCl3-CN202210102341.4有效
发明人：吴传丽;韩修训;赵文宁;刘为振 -专利权人：江西理工大学;国瑞科创稀土功能材料（赣州）有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C09K11/77 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土基钙钛矿CsTmCl3微晶材料及其制备方法和应用。所述稀土基钙钛矿CsTmCl3微晶材料，其化学组成为CsTmCl3，微观形貌为立方体结构，尺寸大小为2‑8μm。本发明通过简单的热注入方法合成了CsTmCl3微晶材料，丰富了稀土卤化物钙钛矿材料的种类，相比于传统的铅基钙钛矿材料，该材料具有低毒性和优异的发光特性，使得稀土卤化物钙钛矿具有广泛的应用；而且，该钙钛矿材料的发光峰在近紫外区域，扩大了钙钛矿材料的发光范围，其发紫光的特性在防伪、制造业和卫生处理方面具有独特应用，即本发明获得了一种低毒且具有实际应用价值的发光材料。
一种稀土基钙钛矿 cstmcl base sub

[发明专利]一种高质量CsPbI2-CN201811536770.2有效
发明人： 韩修训;董琛 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种高质量CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的制备方法，属于太阳能电池制备技术领域。该方法首先利用旋涂法制备一层PbI2薄膜，然后在PbI2薄膜表面分次旋涂CsBr甲醇溶液，经后退火过程形成钙钛矿。在该过程中，通过控制CsBr沉积次数，可以有效地调控CsPbI2Br薄膜的成膜质量及相成分。同时为了能够让PbI2更有效地转化为钙钛矿、避免过多PbI2的残留，引入了绿色反溶剂对PbI2薄膜进行处理，通过构建具有随机晶粒取向的微/纳多孔中间相薄膜，使CsBr分子能够更有效地扩散到PbI2薄膜中，进而实现CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜更完全、更高效的转化，其制备的无机钙钛矿薄膜厚度、形貌以及相成分可控，光吸收好。该方法工艺简单，成本低廉，易于工业化，有利于推动全无机钙钛矿器件的发展。
一种质量 cspbi base sub

[发明专利]一种基于无硫源前驱体制备锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池吸收层的方法-CN202210112259.X在审
发明人： 韩修训;方奕锟;刘为振 -专利权人：江西理工大学;赣州稀金新材料研究院有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种基于无硫源前驱体制备锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池吸收层的方法，所述方法包括：以乙醇胺和DMF按体积比6：4～10：0的混合溶液为溶剂，配制含有Cu、Zn和Sn元素的无硫源CZT前驱体溶液后，通过溶液旋涂法制备得到无硫源CZT前驱膜，再将所述无硫源CZT前驱膜进行硒化和/或硫化。本发明采用一种新的溶液法合成了无硫源CZT前驱体薄膜，然后经过硒化或硫化或同时进行硒化和硫化，可制备出锌黄锡矿结构吸收层薄膜，可用于制备薄膜太阳能电池。该方法在制备前驱体的过程中不含有硫源，不会释放含硫气体，减少了有毒气体的排放，而且该方法操作简便，在太阳能电池领域具有较好的应用价值。
一种基于无硫源前驱体制备锌黄锡矿结构薄膜太阳能电池吸收方法

[发明专利]一种稀土金属有机框架包覆钙钛矿量子点复合发光材料及其制备方法-CN202110410266.3在审
发明人： 韩修训;赖文伟;吴传丽 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土金属有机框架包覆钙钛矿量子点复合发光材料及其制备方法，所述制备方法包括将钙钛矿量子点溶液与稀土金属离子溶液和均苯三甲酸混合进行反应的步骤；其中，所述均苯三甲酸与稀土金属离子的摩尔比为(0.1‑3):1。本发明可以实现在室温、没有任何惰性气体保护的情况下，在溶液体系中简单高效地制备出稀土金属有机框架包覆钙钛矿量子点复合发光材料，通过调整钙钛矿量子点成分和调整稀土元素可以获得覆盖可见光范围内和近红外区的复合发光材料，极大地扩展其光学领域的应用；而且稀土金属有机框架的包覆可以极大地提高钙钛矿量子点的稳定性。
一种稀土金属有机框架包覆钙钛矿量子复合发光材料及其制备方法

[发明专利]一维发光CsPbBr3-CN202010576408.9在审
发明人： 韩修训;赖文伟;赵文宁;李文辉 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C01G21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维发光CsPbBr3钙钛矿纳米线及其制备方法，包括步骤有：S1.在室温下，将乙酸铯、乙酸铅按照预设摩尔比溶解在乙酸溶剂中，得到前驱体溶液；S2.将油酸、油胺加入有机溶剂中，加入HBr的乙酸溶液，搅拌均匀得澄清溶液；S3.将一定量的前驱体溶液转移到澄清溶液中，搅拌至完全反应，即可在室温下得到一维发光CsPbBr3钙钛矿纳米线；利用该制备方法可以在室温环境中且没有任何惰性气氛保护的条件下，一步制备尺寸均一的CsPbBr3纳米线，具有制备方法简单、绿色环保的优点。
发光 cspbbr base sub

[发明专利]基于离心力的微纳结构复制方法及制备得到的聚合物微纳结构-CN201810824821.5在审
发明人：赵文宁;韩修训;方毅;罗烈升 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及微纳结构复制技术领域，尤其是涉及一种基于离心力的微纳结构复制方法及制备得到的聚合物微纳结构。所述基于离心力的微纳结构复制方法，包括如下步骤：聚合物置于微纳结构模板上，加热至温度T，离心填充；降温使聚合物冷却，脱模；其中，所述温度T大于所述聚合物的玻璃化转变温度Tg。本发明无需使用昂贵的设备，利用离心力使聚合物充分填充于微纳结构模板的间隙，从而实现微纳结构的复制；加热条件下，使聚合物具备足够的流动性，利用离心力，以填充于微纳结构模板的空隙，完成填充后，通过降温冷却，即可使聚合物重新恢复玻璃态，脱模即完成微纳结构的复制。
微纳结构聚合物复制填充脱模制备玻璃化转变温度Tg 加热条件降温冷却玻璃态加热冷却恢复

[发明专利]基于离心力的纳米压印方法及制备得到的聚合物微纳结构-CN201810824815.X在审
发明人：赵文宁;韩修训;方毅;罗烈升 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及微纳制造技术领域，尤其是涉及一种基于离心力的纳米压印方法及制备得到的聚合物微纳结构。所述基于离心力的纳米压印方法，包括如下步骤：聚合物置于微纳结构模板上，加热，离心填充；紫外曝光使聚合物固化，脱模。本发明无需使用昂贵的设备，利用离心力使聚合物充分填充于微纳结构模板的间隙，从而实现微纳结构的复制；加热条件下，使聚合物具备足够的流动性，利用离心作用，以填充于微纳结构模板的空隙，然后进行紫外曝光，使聚合物固化成型，脱模，即完成基于离心力的纳米压印。
微纳结构聚合物纳米压印填充聚合物固化紫外曝光脱模制备加热条件离心作用加热成型复制制造

[发明专利]一种FeVO₄模拟酶材料及其应用-CN201510911673.7有效
发明人： 韩修训;鞠鹏 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G01N33/535 文献下载
摘要：本发明公开了一种FeVO4模拟酶材料，该材料为具有带状结构的FeVO4，尺寸为1~5 mm；该模拟酶材料通过以下方法制备得到：将Fe(NO3)3×9H2O溶于超纯水中得溶解液A；同时将NH4VO3溶于超纯水中得溶解液B；然后将上述溶解液B在搅拌条件下逐滴滴加到上述溶解液A中得悬浮液，调节悬浮液pH值为1~5，之后继续搅拌10~60 min；搅拌结束后，将混合液进行热处理；反应结束后，将反应釜冷却至室温，经过抽滤、洗涤和40~80°C干燥2~10 h即得具有带状结构的FeVO4。本发明还公开了该材料作为过氧化物酶的应用。本发明所述材料具有良好的模拟过氧化物酶催化性能，其制备方法工艺简单、易于控制、成本低廉。
溶解液模拟酶过氧化物酶带状结构悬浮液水中制备方法工艺热处理材料通过催化性能搅拌条件反应釜混合液抽滤制备洗涤冷却应用

[发明专利]一种实现GaAsN外延薄膜硅高效掺杂的方法-CN201711226329.X在审
发明人：赵雲;韩修训;董琛 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现GaAsN外延薄膜硅高效掺杂的方法，利用外延生长手段将传统的(100)GaAs衬底改变为(n11)B GaAs衬底来外延生长硅掺杂的GaAsN材料。本发明利用(n11)B极性面(即As面)能够形成高密度三键Ⅴ位(即N或As位)，并结合N的高电负性特性来构筑N的活性吸附位，能够有效抑制硅原子与N复合体的产生，从而有效地提高GaAsN中硅的并入量，可获得可控硅掺杂的GaAsN薄膜。
掺杂的外延薄膜衬底外延生长硅活性吸附外延生长有效抑制传统的复合体硅原子极性面可控硅有效地负性高电三键薄膜构筑

[发明专利]一种提高基于DMSO溶液法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的方法-CN201711209923.8在审
发明人： 韩修训;赵雲;董琛;李佳佳 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高基于DMSO溶液法制备的铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池性能的方法，在传统的DMSO基CZTS前驱体溶液中加入与其体积比为1:2~1:50的去离子水得到优化的CZTS前驱体溶液；然后将优化的CZTS前驱体溶液涂至基底上，经后硒化处理形成CZTSSe薄膜，最后组装太阳能电池器件。本发明通过改良前驱体溶液改善了薄膜的质量，有效提高了CZTSSe薄膜太阳能电池的开路电压、短路电流，填充因子及光电转换效率。本发明所提供的方法可控性强，工艺简单，成本低廉，可为发展低成本、高效率的CZTS薄膜太阳能电池技术提供新的思路和途径，具有规模化工业生产的潜力。
薄膜太阳能电池前驱体溶液铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池器件光电转换效率短路电流开路电压去离子水填充因子硒化处理传统的低成本高效率规模化可控性体积比基底优化组装改良

[发明专利]一种银掺杂铜锌锡硫硒光吸收层薄膜材料及其在太阳能电池中的应用-CN201610950422.4有效
发明人： 韩修训;赵雲;李文;李健 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种银掺杂铜锌锡硫硒光吸收层薄膜材料，该薄膜材料通过以下方法制备得到1）将0.07~0.13 mol/L金属铜盐和金属银盐加入有机溶剂中，搅拌至完全溶解后，加入0.03~0.07 mol/L金属锡盐继续搅拌至溶解，然后加入0.03~0.09 mol/L金属锌盐搅拌至完全溶解，最后加入2 mol/L的含硫化合物搅拌至完全溶解形成稳定的ACZTS前驱体溶液；2）将镀钼玻璃依次在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗干净；3）将前驱体溶液旋涂到镀钼的玻璃基底上，反复旋涂沉积；4）待旋涂完毕后将样品硒化处理。本发明还公开了该薄膜材料在太阳能电池中的应用。本发明通过Ag掺杂可改善薄膜的质量，有效提高器件的开路电压、填充因子及光电转换效率，实验可重复性和稳定性也比较好。
一种掺杂铜锌锡硫硒光吸收薄膜材料及其太阳能电池中的应用

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