[发明专利]GaN自支撑衬底的制备方法在审
| 申请号： | 202010223742.6 | 申请日： | 2020-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111430220A | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 闫其昂;范光华;沈蔚;邢怀勇;杨敏 | 申请（专利权）人： | 江苏南大光电材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/01;C23C16/30;C23C16/455;C23C16/56 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 王玉国 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了GaN自支撑衬底的制备方法，首先，在衬底上采用MOCVD外延技术，通入TMG源，外延生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上继续采用MOCVD外延技术，切换TMG源粗体生长GaN牺牲层；然后，采用MOCVD外延技术，切换TMG源，在GaN牺牲层上生长GaN模板层；继而，采用HVPE方法在GaN模板层上生长GaN厚膜层；最后，剥离去除GaN牺牲层实现衬底剥离，获得GaN自支撑衬底。本发明通过TMG源粗体外延生长GaN牺牲层，便于实现衬底剥离，实现GaN自支撑衬底。 | ||
| 搜索关键词： | gan 支撑 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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